-
公开(公告)号：CN111027214B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201911264545.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种持续辉光放电仿真模型的构建方法、仿真方法，所述仿真模型的构建方法包括步骤：确定放电体系中参与放电的粒子；其中，所述粒子包括离子，中性粒子，冷电子和热电子中的一种或多种；计算放电区域温度，并根据所述放电区域的温度获得中性粒子的扩散通量；和/或计算热电子溢出项，并根据所述热电子溢出项获得热电子平衡方程；根据所述中性离子的扩散通量和所述热电子平衡方程获得所述仿真模型。通过考虑温度和热电子对模型热平衡和动力学平衡的影响改进了整体模型，实现了整体模型对持续辉光放电的仿真。
-
公开(公告)号：CN110846624B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911081661.0
申请日：2019-11-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种新型阳极层离子源，包括位于轴心位置的内阴极，环绕在所述内阴极外侧的外阴极，所述内阴极和所述外阴极之间的间隙为离子束流通道；均匀排列在内阴极与外阴极之间的永磁体；位于所述内阴极和所述外阴极之间且环绕所述内阴极的阳极环，开设在所述阳极环内的通气孔，开设在所述阳极环上且连通所述通气孔的通气狭缝，所述通气狭缝朝向所述离子束流通道。通过改变离子源的通气方式，减少工作气体与阳极接触，从而降低工作气体对阳极造成污染和附着物吹出造成对沉积涂层的污染。
-
公开(公告)号：CN114787427A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201980101030.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种超疏水材料及其制备方法和应用。所述超疏水材料，其疏水表面由正表面能材料、负表面能材料和微纳米空隙组成。所述超疏水材料，通过在疏水表面引入负表面能材料和微纳米空隙设计，在不使用低表面能的有机物质的情况下，具有超疏水性能；并且，由于没有采用有机物质，所述超疏水材料具有较好的耐温和耐候特性，以及优异的耐磨和耐腐蚀特性。
-
公开(公告)号：CN110685000A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911095364.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高耐蚀涂层和制备方法、电解液及其应用。所述电解液包括终浓度为5-50g/L的磷酸盐、5-30g/L的含锌化合物和1-15g/L的络合剂，溶剂为水。本发明电解液将磷酸盐、含锌化合物及络合剂溶解于水中，满足了微弧氧化的使用需要。同时通过将自修复、磷化等特性与微弧氧化进行结合，使得采用本发明的电解液进行微弧氧化获得的涂层具有更好的致密度和自修复能力，进而提高了被处理工件的耐腐蚀性能。
-
公开(公告)号：CN108330456A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810097176.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/3485 , C23C14/50 , C23C14/548
Abstract: 本申请公开了一种高通量材料制备的装置及其应用。本申请的装置，包括基片台、材料共混区、基片台移动系统、溅射源和溅射电源；基片台上安装有若干个可组装延伸的基片单元；溅射源包括若干个不同靶材料的溅射阴极，各溅射阴极独立控制，使用时，所有溅射阴极的束流汇集于材料共混区；材料共混区为不同靶材料的溅射材料的混合区域；基片台移动系统控制基片台移动，使基片单元依序通过材料共混区，进行磁控溅射。本申请的装置，可以实现不同材料按不同比例沉积，从而制备出一系列的新材料，并且可以实现持续的高通量生产，极大的方便了新材料的研发以及材料基因组材料库建库。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047863A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510312732.9
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种用于锂电池的正极材料及其制备方法。本申请的正极材料，其的主要活性成份为微米级的高容量活性材料，高容量活性材料的表面均匀的包覆有至少一层纳米磷酸铁锂层。本申请的正极材料，创造性的采用循环稳定性好而容量低的正极材料作为包覆层，对容量高，但稳定性较差的正极高容量活性材料进行包覆；并且采用机械旋转的方式进行包覆处理，无需额外的加热或其它处理；最大程度的保持了正极材料的自身性能；并且，机械旋转包覆后，包覆层致密均匀；既能有效的提高包覆正极材料的稳定性和整体性能，又能有效的将被包覆的正极高容量活性材料与电解液隔开，从而避免其与电解液发生副反应，提高包覆正极材料的循环性能。
-
公开(公告)号：CN105018891A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
-
公开(公告)号：CN104131258A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410268695.1
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种离子镀膜装置和离子镀膜方法。本申请的离子镀膜装置，将磁控靶设计成圆柱筒状，所有溅射均在圆筒形靶源的内部完成，并采用偏压电源将离子束流引出，沉积在工件上，这样，不带电或者说没有电离的原子就不会被电场吸引出来的，因此，可以达到100％的离子沉积。另外，由于磁控溅射靶源的溅射是在圆筒内进行，即便发生打弧也只是在圆筒内部，不会影响到镀膜工件，避免了打弧对镀膜的影响。此外，本申请的靶源离子被偏压电源引出圆筒，引出后的离子受靶电压吸引减弱，同时，本申请的引出束流面积远远小于靶面面积，因此，引出束流密度大大提高，有效的提高了沉积速率。
-
公开(公告)号：CN115142033B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210486987.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种非化学计量比氧化铝材料及其制备方法。所述制备方法包括步骤：将基材置于腔室中，对所述腔室进行抽真空；在所述抽真空之后，对所述基材进行表面处理；采用持续高功率磁控溅射技术，对铝靶进行溅射，同时通入含氧的反应气体，使得在所述基材上沉积得到非化学计量比的氧化铝材料。本发明采用持续高功率磁控溅射技术，依靠其高效溅射产额特点，扩展了Al‑O反应磁控溅射过程中的含氧的反应气体流量化学活性窗口，延缓了中毒现象，实现了宽范围AlOx材料非化学计量比的精确调控。通过非化学计量比的调控，实现了AlOx材料光学、电学等各方面性能的调控，且具有高的沉积速率，沉积速率可高达50～400nm/min。
-
公开(公告)号：CN114875358B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210511855.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种真空复合镀膜设备及其使用方法，设备包括：真空室、弧光放电模块、气体离子源、高功率磁控放电模块、工件旋转系统、加热系统。本发明弧光增强结构或者气体离子源的清洁等离子体对工件进行高效清洗，弧光放电产生的高密度电子对N2进行高效电离，用于低温离子渗氮；利用高功率脉冲磁控溅射技术产生高强度清洁金属等离子体对界面进行离子轰击、活化界面并制备过渡层；采用持续大功率磁控溅射技术实现无颗粒、致密涂层的快速生长，或采用气体离子源进行气相等离子体沉积DLC涂层。将先进的渗、镀工艺集成在同一套设备环境中，根据不同的膜层需求选择不同的工艺模块，减少传统工艺中分体操作带来的污染，保障膜层质量，同时提高制备效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.035 seconds)
