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公开(公告)号：CN108807553B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810634014.7
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。本发明利用这种掺杂方法在二维半导体材料中形成同质的突变PN结，同时不会在禁带中引入带尾，对于电子器件应用具有十分重要的意义；且该掺杂方法不存在由于离子碰撞产生的晶格损伤，同时稳定性大幅提升，制备工艺简单，易于推广到大规模生产。
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公开(公告)号：CN108880529B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810584552.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094 , G06N3/06 , G06N3/063
Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿场效应晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括电容、泄漏与重置管、正反馈管、两级串联的反相器；其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷；泄漏与重置管是一个N型TFET器件，为电容上积累的电荷提供泄漏与重置通路；正反馈管是一个P型TFET器件，在第一级反相器的输入接近其逻辑阈值电平时为电容补充电荷；两级串联的反相器由互补TFET构成，起到放大输入端电压变化的作用。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，具有更低的硬件开销，并且能够有效降低电路每发放一次脉冲的短路能量消耗，使得电路拥有更高的能效。
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公开(公告)号：CN110232440A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910500395.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063 , H03K19/0944
Abstract: 本发明提出了一种基于铁电晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括铁电晶体管FeFET和电阻；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L-FeFET，该L-FeFET用于模拟生物神经元的积累和泄露特性，从突触传递过来的电压脉冲信号施加在L-FeFET的栅上，L-FeFET的源端与GND相连，L-FeFET的漏端连接于电阻的一端；电阻的另一端与固定的电源电压相连，电阻用于与L-FeFET分压产生神经元的电压脉冲输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销；具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的脉冲神经网络的硬件实现。
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公开(公告)号：CN102882509B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210381379.6
申请日：2012-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明实施例公开了进位电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为进位电路的信号输入端；阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个比较器的输入端相连接，以使比较器的输出端作为进位电路的信号输出端；比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，比较器的输出端输出高电平，比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，比较器的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省进位电路所占面积的同时，实现了进位电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102683586A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102638030A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
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公开(公告)号：CN101593801A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101345280A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042185.7
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为2000～4000，形成透明导电层，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出，步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻。该方法在现有技术的基础上，将透明导电层进行进一步加工，制造成具有类光子晶体的微结构，大大提高了发光二极管的出光效率，有效的提升了发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN110309908A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910500408.8
申请日：2019-06-11
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/04 , G06N3/063 , H03K19/0948
Abstract: 本发明提出了一种基于铁电晶体管的FeFET-CMOS混合脉冲神经元，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括电容、重置管、放大器、铁电晶体管FeFET；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L-FeFET，其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容；重置管为电容上积累的电荷提供重置通路；放大器起到放大输入端电压变化的作用；铁电晶体L-FeFET为电容上的电荷提供了一个额外的泄放通路。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，拓展了神经元的仿生SFA功能，有利于脉冲神经网络的硬件大规模集成以及更高级仿生功能的实现。
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公开(公告)号：CN108880529A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810584552.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094 , G06N3/06 , G06N3/063
Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿场效应晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括电容、泄漏与重置管、正反馈管、两级串联的反相器；其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷；泄漏与重置管是一个N型TFET器件，为电容上积累的电荷提供泄漏与重置通路；正反馈管是一个P型TFET器件，在第一级反相器的输入接近其逻辑阈值电平时为电容补充电荷；两级串联的反相器由互补TFET构成，起到放大输入端电压变化的作用。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，具有更低的硬件开销，并且能够有效降低电路每发放一次脉冲的短路能量消耗，使得电路拥有更高的能效。
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