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公开(公告)号：CN1844681A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510011534.5
申请日：2005-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: F04F9/00
Abstract: 本发明提供了一种微型扩散泵及其制备方法，微型扩散泵主要包括：泵腔室、单向阀、泵入口、泵出口及泵腔室内的驱动结构，单向阀分别位于泵腔室与泵入口之间和泵腔室与泵出口之间，单向阀为正反向流量不同的楔形扩散管，泵腔室内流体在一定驱动方式下膨胀和收缩产生压力差，依据流体在楔形扩散管内的正反流压力不同的性质，在泵体内产生单向连续输运流体的作用。本发明提供的微型扩散泵可采用抽吸气体而驱动液体和直接驱动液体两种工作方式。微型扩散泵的制备基于硅微机械加工技术及微模型技术，制备工艺简单、加工成本低、可靠性好、易于与大多数微流体系统集成，在微流控分析芯片领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1840657A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510059716.X
申请日：2005-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种抗人CKLF1的单克隆抗体及其杂交瘤细胞系，杂交瘤细胞系的保藏号为CGMCC No.1335。本发明的单克隆抗体可以用来检测各种病变组织中的CKLF1蛋白的表达；该单克隆抗体还可作为探针，利用直接免疫荧光试验检测各种疾病如哮喘、系统性红瘢狼苍等自身免疫性疾病外周血淋巴细胞CKLF1的表达水平，作为临床诊断或辅助诊断的一个标志。
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公开(公告)号：CN1683586A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033637.7
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化锡纳米敏感薄膜制备方法，属于气敏传感器的敏感材料制备领域。本发明采用磁控反应溅射方法使金属锡氧化，在硅片上生成锡的纳米量级氧化物薄膜，再进一步氧化、退火，即可制造出纳米晶粒氧化锡薄膜，该氧化锡纳米敏感薄膜具有氧化锡颗粒度小，比表面积大，厚度均匀(误差在纳米量级)等特点，且表面平整度高，在100倍显微镜下观察没有裂痕，有利于提高气敏传感器的灵敏度和稳定性，通过溅射时间严格地控制膜厚，可重复性高，适合于批量生产。本发明与集成电路工艺相兼容，污染小，极大地降低气体传感器的生产成本，扩展了传感器的应用领域。
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公开(公告)号：CN1601115A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009702.2
申请日：2004-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: F04F5/00
Abstract: 本发明提供了一种微型射流泵及其制备方法，泵体包括驱动结构和抽吸结构，驱动结构是由射流喷嘴和与之相连的驱动腔组成，驱动腔上设有驱动流体人口孔，抽吸结构包括抽吸入口端、抽吸流道和扩散出口，射流喷嘴位于扩散出口处，抽吸流道设在射流喷嘴的两侧，高压驱动气体或液体经过驱动流体人口孔进入驱动腔，在射流喷嘴出口处产生高速射流，同时在其边界处产生涡旋，涡旋卷吸抽吸流道内的流体进入射流，两种不同流速的混合流体共同流入扩散出口。微型射流泵的制备利用MEMS工艺设计，通过两张光刻版就可以实现，泵体材料的可选择范围大、易于和大多数微流体系统集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599250A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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公开(公告)号：CN1432801A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03104784.X
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。
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公开(公告)号：CN1431517A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104781.5
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片，三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥来检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。降低了电路难度，在不需要高精度集成电路工艺的情况下实现了加速度传感器的伺服控制，提高了检测精度。所采用的三明治结构大大增强了传感器的抗冲击能力，扩大了该传感器的适用范围。可广泛应用于MEMS技术领域。
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公开(公告)号：CN1054468C
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN98102573.0
申请日：1998-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN119574337A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411567485.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热驱的微梁弯曲强度在线检测系统、制造方法及应用，属于微电子机械系统领域。本在线检测系统包括片上试验机和片上被测试样，片上试验机主要包括热驱加载执行器、双梁隔热结构、V型放大杠杆、感兴趣区域定位标记结构和双锤头结构，片上被测试样主要包括刚性块状结构、弯曲测试梁和弹性悬挂折叠梁。本发明的片上试验机依靠自身的电阻梁发热进行能量加载和释放，能够实现上电后全自动的弯曲断裂强度在线检测及测试结果提取，可用来进行深刻蚀释放工艺的监控以及对于MEMS器件结构的可靠性预测。
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