公开(公告)号：CN1211064A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98102573.0

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  郝一龙 ,  张国炳 ,  李婷 ,  张大成 ,  刘诗美 ,  李志宏 ,  陈文茹 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中,多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱;并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜,或两次都利用光刻胶作为掩膜,腐蚀牺牲层,干法刻出多晶硅结构,并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计,彻底克服了粘附效应,适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1054468C

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN98102573.0

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  郝一龙 ,  张国炳 ,  李婷 ,  张大成 ,  刘诗美 ,  李志宏 ,  陈文茹 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN2295273Y

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：CN96213793.6

申请日：1996-06-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙玉秀 ,  刘诗美 ,  李静 ,  郝一龙 ,  张国炳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

Abstract: 一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于5.5μ时,在遇上较大的温度变化时(如断电)石英管较高温区部位就会产生极深的碎裂纹以致无法继续使用,本实用新型在原有的淀积装置上另放置一条氨气气路,在石英管内壁在淀积多晶硅薄膜前预先淀积一保护层,大大提高了工作效率,延长了石英管的使用寿命。