公开(公告)号：CN102280440A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110247718.7

申请日：2011-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  王贯江 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及微电子封装领域，具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法，所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片；所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接；所述每层封装衬底上设有至少一个通孔，所述通孔中有导电金属柱，所述相邻层的封装衬底上位置相对应的导电金属柱之间通过电互连元件连接；所述相邻的两层封装衬底之间具有与其间的半导体芯片相匹配的凹坑。本发明所提供的叠层封装结构，可以有效缩小封装体积，实现更高的封装密度，更小的互连节距。

公开(公告)号：CN102270603A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110230266.1

申请日：2011-08-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  王贯江 ,  孙新 ,  朱蕴晖 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN102157459A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110063943.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 崔卿虎 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种TSV芯片键合结构，属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构，所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度；所述第二芯片包括第二微凸点，所述第二微凸点嵌入所述第一环绕结构且所述第一环绕结构限制所述第二微凸点的横向位移。所述第二芯片还可包括第二环绕结构，所述第一环绕结构嵌入所述第二环绕结构且所述第二环绕结构限制所述第一环绕结构的横向位移。本发明可用于半导体器件的制造等领域。

公开(公告)号：CN101540295A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910082236.3

申请日：2009-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 纪明 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。

公开(公告)号：CN1259231C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN02100469.2

申请日：2002-02-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  张锦文 ,  缪旻 ,  郝一龙

IPC: B81C5/00 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的真空封装方法，采用了蒸镀的方法，在一批多个封装外壳内壁的一部或全部同时建立吸气薄膜结构，能有效吸附真空封装过程中释放的残余气体和器件寿命期漏入或内部结构放出的气体，从而起到维持真空的作用。其有效面积大，吸气能力强，真空度保持效果好；附着力强，固定性好，几乎不占用空间，而且适用于形状各异、尺寸微小的封装腔体。其工艺流程与现有微机械加工技术衔接好、成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持时效长、真空度高等特点，可用于射频、惯性、真空微电子等MEMS器件芯片的器件级封装和芯片级封装的真空封装。

公开(公告)号：CN106370958B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610934313.3

申请日：2016-10-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘念 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01R31/00 ,  G01N21/88 ,  G01N29/06

Abstract: 本发明公开了一种内嵌微流道的LTCC基板测试方法和装置，该方法包括对LTCC基板样品进行初步检测；对通过初步检测的LTCC基板样品分别进行低温贮存测试、高温贮存测试和高低温循环测试，并对每次测试后的LTCC基板样品进行检测。该方法和装置对内嵌微流道的LTCC基板进行了低温贮存、高温贮存、温度循环等系列环境科目测试，检测内嵌微流道LTCC基板的质量无损和结构完整性，得出其在地面模拟使用环境中是否可靠的定性结论。

公开(公告)号：CN106405152A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610913433.5

申请日：2016-10-19

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 覃明杰 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125

Abstract: 本申请公开了一种微加速度计，其包括上盖板、质量块、下盖板、悬臂梁、围框。上盖板与下盖板相对设置形成一空间；围框的一端连接于上盖板的下表面，另一端连接于下盖板的上表面；质量块通过悬臂梁与围框相连，以设置于上盖板与下盖板形成的空间内；悬臂梁为弯曲形状，用于支撑质量块在上盖板与下盖板形成的空间内上下移动。本申请还公开了制备上述微加速度计的方法，包括流延、打孔与通孔填充、对准、层压、共烧、装配和检测步骤。本发明的LTCC差分电容式微加速度计，其悬臂梁采用弯曲形状，例如U形结构，制备简单，微加速度计测量结果漂移低，温度效应很小，灵敏度相对较高，检测模态刚度小，交叉耦合小，综合性能好。

公开(公告)号：CN104867905A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510138166.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L23/62 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底，信号通孔和地通孔，其中衬底为P型背景掺杂；所述通孔是由多晶硅填充的通孔；所述信号通孔为N型掺杂；所述地通孔为P型掺杂。本方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)在衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉干膜；4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅。对于高速/高频系统，采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整，即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单，成本低，效果好的优势。

公开(公告)号：CN102130042B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201010603554.2

申请日：2010-12-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  马盛林 ,  孙新 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种通孔互连结构的制作方法，包括在基片上制作盲孔，然后依次淀积种子层和有机物薄膜，贴干膜，并通过光刻在盲孔处形成小于盲孔口径的干膜开口，然后刻蚀去除盲孔底部的有机物薄膜，暴露出种子层，再对盲孔进行填充。进一步的，还公开了对通孔提供电子屏蔽的方法。本发明简化了通孔自下而上电镀填充的制作工艺，提高了成品率，降低了通孔互联结构制作的工艺成本；而且提供了一种应力缓冲结构，通孔侧壁覆盖的有机膜可以缓解通孔互连结构的应力状态，提高其可靠性；另外还提供了一种对通孔互联结构的电磁屏蔽结构，有利于提高通孔电信号传输性能，减小通孔间及对其它电路的干扰。

公开(公告)号：CN102050418B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010500612.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  孙新 ,  朱韫晖 ,  金玉丰 ,  缪旻

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述TSV通孔电连接的芯片。本发明还公开了三维集成结构的两种生产方法。本发明可用于制造集成电路。该集成结构及其生产方法可以有效解决MEMS器件与其处理集成电路的兼容性问题。