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公开(公告)号：CN115768045A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211385954.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 北京大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种散热器及电子设备，该散热器包括底板、射流板和盖板。其中，底板具有若干微通道结构。射流板上开设有射流槽，射流槽上设置有歧管结构，以形成有交错排布的歧管入口和歧管出口，射流槽包括进液部和出液部。射流槽上开设有若干射流入口和射流出口，出液部和微通道结构通过歧管入口和射流入口连通，出液部和微通道结构通过歧管出口和射流出口连通，进液部和出液部通过歧管结构和微通道结构连通。盖板具有进液口和出液口。本发明所述的散热器，能够充分发挥歧管结构的降低压降的作用，避免了局部过热，也利用了微射流进行强化换热，实现了微射流和歧管式微通道的有机结合，强化了针对超高热流密度电子芯片的高效冷却能力。
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公开(公告)号：CN108733869B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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公开(公告)号：CN115275003A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210842412.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带负电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高兴奋型人工神经突触器件的性能。
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公开(公告)号：CN115275002A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210842407.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带正电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高抑制型人工神经突触器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948636A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111064414.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极，可有效防止漏电流对其他器件的影响，且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外，本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件，既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能，又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外，本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。
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公开(公告)号：CN113832033A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111059743.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种细胞高活性分选及改造的原位电穿孔芯片、装置及方法，在本发明中，可同时实现对液基样本中的目标细胞进行高通量分选，对分选得到的目标细胞进行原位电穿孔改造，对改造后的细胞进行原位观察及统计分析。本发明可在15min内实现大规模背景细胞下痕量目标细胞的分选及改造，其中分选效率大于85％，改造效率大于75％，并且可以保证整套流程下细胞的活性大于80％。本发明提供的细胞高活性分选及改造的方法，一方面通过原位一体化的操作可以减少各步骤间的细胞损失及损伤，保证细胞活性；另一方面通过权衡不同孔径下细胞通过滤孔时的剪切应力和电穿孔过程中的电场强度来设计并优化滤膜孔径，进一步保证细胞的高活性。
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公开(公告)号：CN113804531A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111059744.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N1/30 , G01N1/31 , G01N33/533 , C12M1/42 , C12N13/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种细胞高活性染色方法，所述方法包括：将包含目标细胞的样本和特异性的直标抗体混合；通过电极对样本中的目标细胞进行电穿孔标记，在电穿孔过程中，特异性的直标抗体进入目标细胞，完成特异性标记；对完成特异性标记的目标细胞进行静置，以使目标细胞的细胞膜复原。在本发明中，利用电穿孔方法将特异性的直标抗体导入目标细胞的过程中，不会对细胞造成不可逆的破坏，在完成电穿孔操作之后，目标细胞的细胞膜在10分钟内即可复原，恢复高活性且标记特异性接近100％。
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公开(公告)号：CN113651290A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110769121.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。
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公开(公告)号：CN113629020A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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