公开(公告)号：CN101614685A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910079885.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  沈波 ,  张琦 ,  贺小伟 ,  许福军 ,  尹春明 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: G01N23/227

Abstract: 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右，更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。

公开(公告)号：CN119433486A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411606062.7

申请日：2024-11-12

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  王忠强 ,  梁智文 ,  林良维 ,  姜永京 ,  陈垦宇 ,  陈德容 ,  刘强 ,  王新强

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。

公开(公告)号：CN118524775A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410988745.7

申请日：2024-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  李元石 ,  王新强 ,  王睿 ,  叶昊天 ,  王涛 ,  冯冉 ,  徐熙帆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。

公开(公告)号：CN118374878A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410832059.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  王睿 ,  王新强 ,  叶昊天 ,  李元石 ,  冯冉 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B25/18 ,  C30B33/04 ,  C30B29/38 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。

公开(公告)号：CN118241306A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410412355.5

申请日：2024-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  刘云琪 ,  于彤军 ,  王泽人 ,  张皇澍 ,  陈加昊 ,  杨浩 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B25/10

Abstract: 本发明公开一种适用于AlN的HVPE反应室结构，属于深紫外光电材料领域。该结构设置在HVPE设备主体石英管中，包括感应加热器、通流陶瓷支架、反光隔光管、高纯材料保温层和磨砂牺牲石英管，感应加热器为高纯石墨柱体，样品固定在感应加热器上，感应加热器与感应线圈相对应，利用电磁感应原理产生涡流来加热样品，感应加热器固定在通流陶瓷支架上共同位于反光隔光管中，反光隔光管套在磨砂牺牲石英管中，高纯材料保温层位于反光隔光管与磨砂牺牲石英管之间。本发明能够解决现有感应加热器及保温结构对反应室的杂质污染，以及高温均匀加热区域狭小和高温保温效果不佳、能耗大等问题。

公开(公告)号：CN117954331A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410353818.5

申请日：2024-03-27

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王忠强 ,  梁智文 ,  谢胜杰 ,  林良维 ,  刘强 ,  王新强

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/683 ,  C23C16/27 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。

公开(公告)号：CN116759502B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311069998.6

申请日：2023-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  陈兆营 ,  刘放 ,  盛博文 ,  袁泽兴

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/34 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二P型导电层，所述第一N型导电层在最底层，所述二P型导电层在最上层；所述红光II型超晶格层、绿光II型超晶格层和蓝光II型超晶格层由第一半导体材料和第二半导体材料周期排列构成。本发明解决了II型异质结作为发光二极管有源区时电子空穴复合效率较低的问题，扩充了全彩微型发光二极管显示芯片的材料选择范围。

公开(公告)号：CN115881863B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202211655380.3

申请日：2022-12-22

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王新强 ,  刘强 ,  王琦 ,  陶仁春

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。

公开(公告)号：CN116497455B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310781440.4

申请日：2023-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  叶昊天 ,  王平 ,  王睿 ,  王涛 ,  王锦林 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B29/64 ,  C30B29/38 ,  C30B25/04 ,  C30B23/04 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。

公开(公告)号：CN116153241B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310150336.5

申请日：2023-02-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 常玉春 ,  王新强 ,  唐禹亭 ,  刘放 ,  赵壮 ,  赵中源

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种LED显示驱动芯片分段式PWM控制方法。本发明采用分段式PWM控制方法，对灰度数据生成的PWM波形重新设置，在不增加时钟频率和牺牲功耗的前提下，提供了更高更有效的PWM频率效果；在传统的PWM显示算法基础之上，通过分段式PWM算法将显示周期分段，在不改变总灰度的前提下，提高了整体的刷新率；针对传统LED驱动PWM算法在导致显示麻点，色彩显示不均等问题，优化了PWM算法，有效地改善了显示效果。