公开(公告)号：CN118524775B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410988745.7

申请日：2024-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  李元石 ,  王新强 ,  王睿 ,  叶昊天 ,  王涛 ,  冯冉 ,  徐熙帆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。

公开(公告)号：CN118773742A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410734646.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  叶昊天 ,  王新强 ,  王睿 ,  冯冉 ,  徐熙帆 ,  王锦林 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法。本发明通过在III族氮化物的制备过程中引入反型层，利用反型层重塑晶格驱动III族氮化物晶格极性的反转，使得III族氮化物能够在制备过程中完成可控的晶格极性反转，实现了对目标III族氮化物金属极性和氮极性可选择性的生长，其最终极性与氮化物初始极性无关；本发明极大拓展了III族氮化物外延生长的衬底选择范围，特别是对于制备难度和成本更高的氮极性III族氮化物，使之能在更低廉的金属极性上完成制备，制备流程简单、可控且成本低，对于进一步实现低本高效氮极性III族氮化物生长及其功率射频器件意义重大。

公开(公告)号：CN118524775A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410988745.7

申请日：2024-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  李元石 ,  王新强 ,  王睿 ,  叶昊天 ,  王涛 ,  冯冉 ,  徐熙帆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。