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公开(公告)号：CN102285631A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110153728.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。
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公开(公告)号：CN102208350A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110129985.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构的方法，该方法在氧化硅衬底上直接生长或分散碳纳米管；然后在碳纳米管上沉积钯金属膜；用腐蚀溶液刻蚀碳纳米管下的氧化硅后，在衬底上得到内嵌碳纳米管的沟槽结构。本发明不受光刻条件限制，可在室温下快速制备内嵌碳纳米管纳米尺度沟槽，并可将碳纳米管准确定位在沟槽的底部。本发明工序简单，效率高、成本低，而且随着碳纳米管制备技术的日益改进，可实现大规模、大面积的内嵌有碳纳米管微纳米尺度的沟槽。
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公开(公告)号：CN101298315A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810056421.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管悬壁梁阵列的方法，该方法包括：制备一对或一对以上电极，电极的阴极和阳极交错分布；将含有碳纳米管的有机溶液覆盖在上述电极之上；在电极上施加交流电或直流电后，碳纳米管垂直于上述电极边沿平行排布；待有机溶液蒸发后，将上述电极边沿的碳纳米管切断，形成由碳纳米管组成的悬壁梁阵列。本发明利用碳纳米管自组装技术可以克服光刻技的限制，可获得大规模的悬壁梁阵列而且可控；同时，由于直接利用碳纳米管，可利用其优异的物理特性，将声、电、光、磁等引入悬壁梁体系以实现新颖的纳米机电器件。
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公开(公告)号：CN101293629A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810004331.7
申请日：2008-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，该方法包括：制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极；将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液；将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述电极上施加交流电或直流电；取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。本发明利用交变电场或交变的感应电场获得Y或T形的分叉结构，其可控性好、方法简单、效率高；同时，由于所获的分叉结构与电极相连，可以在同一芯片上原位实现分叉结器件或结器件阵列，为纳电子器件提供新的集成方法。
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公开(公告)号：CN1872673A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510126086.3
申请日：2005-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明提供一种制备碳纳米管交叉阵列的方法，属于碳纳米管的加工技术领域。该方法包括：将基片浸于碳纳米管溶液，碳纳米管可与基片表面或基片表面的分子吸附，待提拉基片，碳纳米管在液/固(溶液与基片)界面处，将同时受多种力作用，基片被提拉出液面时，碳纳米管将沿一定的方向排布，控制提拉速度，使基片表面溶液挥发、碳纳米管取向排列协调完成。同一基片沿两个交叉方向依次进行上述操作，实现碳纳米管定向排列，进而实现大规模碳纳米管交叉结以及交叉阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171907A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411317889.6
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种共用参考电压的多步模数转换器及其运算方法，属于半导体CMOS超大规模集成电路中的存内计算技术领域。本发明提出来的RS‑ADC单步输出N1比特，一共用N2步完成N比特的量化，采用的NREF产生单元可以在多个ADC之间进行共用，相较于N比特的Flash‑ADC来说，灵敏放大器的数量由2N‑1减少至#imgabs0#相较于N比特的SAR‑ADC来说，本发明仅需要一个Boost电容，且将比较周期缩短至N2步#imgabs1#因此，在高并行度的存内计算应用中，本发明相比现有Flash‑ADC与SAR‑ADC在功耗或面积上具有优势。
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公开(公告)号：CN118900618A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410826451.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。
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公开(公告)号：CN114283867B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN112259680A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
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公开(公告)号：CN106783997B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201611100963.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率晶体管及其制备方法，属于功能性电子器件领域。该发明利用高迁移率的双层或三层石墨烯薄膜作为电子输运沟道，其导电特性受到应力和掺杂特性调制，当在栅端加电压调节沟道中的电流，从而实现了HEMT器件的功能。且由于双层或三层石墨烯薄膜导电性随掺杂而改变，因此在同一块GaN上能够同时制作N型HEMT和P型HEMT，N型HEMT和P型HEMT构成数字逻辑电路的反相器,实现射频和微波频段的数字逻辑运算的功能。
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