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公开(公告)号：CN114743922A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210486109.5
申请日：2022-05-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置的托盘上开设有多个边缘承载孔；升降驱动机构与基座组件传动连接；基座包括用于承载托盘的承载面，承载面上开设有多个边缘装配通孔；传动组件设置于基座的内部，多个边缘承载部件设置于承载面的上方，并与多个边缘装配通孔一一对应设置，且与多个边缘承载孔一一对应设置，边缘承载部件通过边缘装配通孔与传动组件传动连接，传动组件与旋转驱动源传动连接；边缘承载部件用于在基座组件上升，并进入边缘承载孔中时，对承载于边缘承载孔中的晶圆进行托举，并带动晶圆旋转。本发明提供的晶圆承载装置及半导体工艺设备能够提高沉积在晶圆上的薄膜的厚度均匀性，改善工艺结果。
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公开(公告)号：CN113862622A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112981334A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161102.1
申请日：2021-02-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
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公开(公告)号：CN112760602A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
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公开(公告)号：CN106711071B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201510778736.6
申请日：2015-11-13
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供一种装卸手，其包括承托件、压紧件和手柄，其中，承托件包括用于承载托盘的承载面；压紧件包括用于压住托盘的压紧面；手柄包括第一握持部和第二握持部，二者通过转动副连接，第一握持部与承托件连接，第二握持部与压紧件连接，并且承托件和压紧件位于转动副的一侧，而第一握持部和第二握持部位于转动副的另一侧；通过开合第一握持部和第二握持部，使压紧件与承托件相互分离，或者使压紧件与承托件夹持托盘；在压紧件上设置有弹性组件，用于在压紧件与承托件夹持托盘时，向托盘施加将其压紧在承托件上的弹力。本发明提供的装卸手，其可以夹持不同厚度的托盘，从而可以扩大应用范围，满足设备对不同厚度的托盘进行取放的需求。
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公开(公告)号：CN111235537A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010047837.7
申请日：2020-01-16
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。
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公开(公告)号：CN110079781A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910289447.8
申请日：2019-04-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和采用冷却腔室进行冷却处理的方法，其中的冷却腔室包括：腔室本体、设置在腔室本体内的水冷盘、托盘和调节机构；托盘用于承载晶片，水冷盘用于对托盘进行降温；调节机构用于调节托盘与水冷盘之间的距离。本发明的冷却腔室、设备以及冷却处理方法，能够提高托盘和晶片冷却的温度均匀性，保证工艺结果的稳定性和一致性，可以将托盘在不破碎的情况下冷却至较低温度；可以再更少的时间内达到目标温度，提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN107492478B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610407507.8
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN108728795A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107723673A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610664192.5
申请日：2016-08-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括：步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2：将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3：检测工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4：将基座移动到工艺位置，对待加工件进行磁控溅射。本发明提供的磁控溅射方法，可以对待加工件的温度以及溅射环境的压升率进行检测，以保证达到预定的磁控溅射条件，大大提高了溅射产品的良品率。
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