公开(公告)号：CN102918004B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180027030.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  江端一晃 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，含有铟(In)、镓(Ga)和正三价和/或正四价的金属X的氧化物，相对于In和Ga的总量，金属X的配合量为100～10000ppm(重量)。

公开(公告)号：CN103620084B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280031607.5

申请日：2012-06-28

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  寺井恒太 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其包含烧结体，所述烧结体包含In、Ga及Mg，并且包含选自In2O3所表示的化合物、In(GaMg)O4所表示的化合物、Ga2MgO4所表示的化合物、及In2MgO4所表示的化合物中的1种以上的化合物，其中，原子比In/(In＋Ga＋Mg)为0.5以上且0.9999以下、并且原子比(Ga＋Mg)/(In＋Ga＋Mg)为0.0001以上且0.5以下。

公开(公告)号：CN104704138A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052096.X

申请日：2013-11-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  但马望

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/352 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  C04B35/00 ,  H01L29/66742

Abstract: 一种溅射靶，包含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物。

公开(公告)号：CN103765596A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280039028.5

申请日：2012-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  江端一晃 ,  笘井重和 ,  松崎滋夫

IPC: H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其具有高迁移率、高on-off比并且能够有效地制造。本发明提供一种薄膜晶体管(1)，其具有源电极(50)、漏电极(60)及栅电极(20)、栅绝缘膜(30)、由氧化物半导体构成的沟道层(40)，所述沟道层(40)的平均载流子浓度为1×1016/cm3～5×1019/cm3的范围，在所述沟道层(40)的所述栅绝缘膜(30)侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域(42)，所述沟道层(40)实质上具有相同的组成。

公开(公告)号：CN103400751A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310258151.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C23C14/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN103354241A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310258582.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN102918004A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027030.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  江端一晃 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，含有铟(In)、镓(Ga)和正三价和/或正四价的金属X的氧化物，相对于In和Ga的总量，金属X的配合量为100～10000ppm(重量)。

公开(公告)号：CN102918003A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180025647.4

申请日：2011-05-24

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  矢野公规 ,  井上一吉

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体，其含有铟和铝的氧化物，原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08。