公开(公告)号：CN118251751A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075372.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN118235236A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073945.9

申请日：2022-10-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚 ,  五十岚健作 ,  大关正彬

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06 ,  G01J4/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。

公开(公告)号：CN117897798A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059667.1

申请日：2022-07-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH4OH浓度、H2O2浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH4OH浓度及H2O2浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。

公开(公告)号：CN117480591A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280041702.7

申请日：2022-06-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明涉及半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有：准备多个通过清洗而形成的化学氧化膜中的OH基的量不同的半导体基板，以相同的热氧化处理条件对这些半导体基板进行热氧化处理，获取OH基的量与热氧化膜的厚度的第一相关关系的工序；测定以相同的清洗条件清洗并改变干燥条件的基板的OH基的量，获取干燥条件与OH基的量的第二相关关系的工序；利用第一及第二相关关系获取干燥条件与热氧化膜厚的第三相关关系的工序；由第三相关关系确定干燥及热氧化处理条件的工序；进行基板的清洗的工序；及使用在确定干燥及热氧化处理条件的工序中确定的条件对清洗后的基板进行干燥及热氧化膜形成的工序。由此，提供一种热氧化膜形成方法，其能够在不改变清洗药液的组成的情况下，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的厚度。

公开(公告)号：CN117136428A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280026918.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  五十岚健作 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN111033696B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880052419.8

申请日：2018-07-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN111602231B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201980007004.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。

公开(公告)号：CN116210073A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180053731.0

申请日：2021-05-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，包含：研磨粒；与水溶性高分子及表面活性剂中的至少1种，所述研磨用组合物中的所述研磨粒的浓度(ppmw)相对于总有机碳的浓度(ppmw)的比为30以下。由此，能够提供：可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的研磨用组合物；可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的晶圆的加工方法；及即使受到蚀刻，结晶缺陷及研磨缺陷显现也得以抑制的硅晶圆。

公开(公告)号：CN111052330B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201880055612.7

申请日：2018-08-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。

公开(公告)号：CN115362534A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026701.0

申请日：2021-02-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  阿部达夫 ,  佐藤三千登

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B49/04

Abstract: 本发明是一种晶圆的研磨方法，其一边连续供给包含水的研磨用组合物，一边将晶圆压抵于研磨布而进行修正研磨，以修正进行过研磨的研磨晶圆的形状，其特征在于，包含以下工序：测量进行所述修正研磨前的所述研磨晶圆的形状；根据该测量出的研磨晶圆的形状，确定在所述研磨用组合物中包含的表面活性剂的种类及浓度；以及一边供给基于该确定的表面活性剂的种类及浓度而调整过的所述研磨用组合物，一边进行所述修正研磨。由此，提供一种能够在后段的研磨工序中减少在前段的研磨工序产生的晶圆的形状的偏差的晶圆的研磨方法及研磨装置。