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公开(公告)号：CN109694076B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810915033.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B13/00
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。
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公开(公告)号：CN111560650A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010079430.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种通过西门子法制造多晶硅的装置，其具备芯线保持器(14)，其中，芯线保持器(14)的下端侧与向芯线保持器(14)通电的电极部(10)的顶部(18)接触，进一步，设置有固定部(17)，其从芯线保持器(14)的下端侧向下方延伸，用于将芯线保持器(14)固定至电极部(10)，其中，固定部(17)的下端部构成螺纹连接部(17a)，该螺纹连接部(17a)位于芯线保持器(14)与电极部(10)的顶部接触的表面的下方。芯线保持器(14)的下端侧与电极部(10)的顶部(18)接触的表面的电阻被设计成低于紧固螺纹连接部(17a)的部位的电阻。通过该装置能够提供一种避免电极的损坏或硅棒的污染的技术。
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公开(公告)号：CN111153407A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010051606.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0-SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN106976884B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201710051831.5
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本申请发明涉及一种多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109252215A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B35/007 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B28/14
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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公开(公告)号：CN104066678B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201380006277.9
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/50 , C23C16/52
Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
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公开(公告)号：CN106573784A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044611.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN104066679A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006296.1
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/50
Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。
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公开(公告)号：CN104066678A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006277.9
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/50 , C23C16/52
Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
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