公开(公告)号：CN1725045A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510084879.3

申请日：2005-07-18

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 大上秀晴 ,  阿部能之 ,  中山德行

IPC: G02B5/22 ,  G02B1/10

CPC classification number: G02B5/22

Abstract: 本发明涉及吸收型多层膜ND滤光器，该吸收型多层膜ND滤光器具有包括基板和、以镍(Ni)为主要成分的金属层和SiO2、Al2O3或它们的混合物制成的电介质层在基板上交替层叠而形成的光学多层体的结构。在作为光衰减层的上述金属层上，由于使用了可视光区域中分光透射率的波长依赖性小的镍系金属材料，因此可以实现相对于波长能够获得平坦的透射率衰减的ND滤光器。

公开(公告)号：CN1690011A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510066653.0

申请日：2005-04-26

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  中山德行 ,  小原刚 ,  和气理一郎

IPC: C04B35/01

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/403 ,  C23C14/3414 ,  Y10S428/918

Abstract: 本发明在于提供比电阻小、膜内部应力的绝对值小、在可见光区域的透过率高的非晶质透明导电性薄膜，以及用于制造该透明导电性薄膜的氧化物烧结体，以及由此得到的溅射靶材。采用钨以W/In原子数比为0.004～0.023的比例，锌以Zn/In原子数比为0.004～0.100的比例，配制平均粒径为1μm以下的In2O3粉末、WO3粉末、ZnO粉末，混合10～30小时，将得到的粉末造粒成平均粒径为20～150μm，用冷间静液压压力机施加2～5ton/cm2的压力使该造粒粉成形，在以每0.1m3的炉内体积50～250升/分的比例向烧结炉内的大气导入氧气的环境下，于1200～500℃下，将所得到的成形体烧结10～40小时。

公开(公告)号：CN105393360B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480040462.4

申请日：2014-07-16

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。

公开(公告)号：CN104685634B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201380049309.3

申请日：2013-10-10

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明的氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成，并且，钨含量以W/In原子数比计为0.005～0.12，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且，载流子浓度为1×1018cm‑3以下，载流子迁移率高于1cm2/Vsec。此外，构成氧化物半导体薄膜的氧化物中，还可以含有锌以使其含量以Zn/In原子数比计处于0.05以下的范围。

公开(公告)号：CN106414366A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580029806.6

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/465 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/245 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于3.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。

公开(公告)号：CN106132902A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013205.6

申请日：2015-05-20

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C04B35/01 ,  C04B35/03 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/082 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于1.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN106132901A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580012984.8

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga2O3相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN106103379A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012927.X

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN105009298A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012738.8

申请日：2014-03-06

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 西村英一郎 ,  中山德行 ,  井藁正史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01B21/0821 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN102543250B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110408371.X

申请日：2007-03-12

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  中山德行 ,  小原刚 ,  和气理一郎

IPC: H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  C23C14/32

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/80

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜，提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的、实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌晶体相和锡酸锌化合物晶体相构成，或者由锡酸锌化合物晶体相构成，实质上不含氧化锡晶体相或固溶锌的氧化锡晶体相。