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公开(公告)号：CN117466240A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311711891.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上集成的耐高温静电驱动垂直微镜光开关芯片，包括晶圆及其上的固定电极、可静电驱动垂直微镜、反射镜，可静电驱动垂直微镜为悬臂式或梳齿式，可静电驱动垂直微镜或反射镜为平面、凸面或凹面，通过固定电极和可静电驱动垂直微镜之间的排斥或吸引实现出射光线的移动，其中凹面镜或凸面镜实现出射光线角度的偏转，实现光信号切换；光开关芯片的制备工艺包括：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极、垂直微镜及反射镜，对垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极、垂直微镜和反射镜表面沉积二氧化硅绝缘层；在固定电极、垂直微镜及反射镜表面沉积金属层，通过剥离的方法形成互连线及金属化的固定电极、垂直微镜、反射镜。
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公开(公告)号：CN116399489B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310680812.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上系统集成的高温硅基光电压力传感芯片，其制备方法包括：法珀腔深刻蚀步骤、牺牲层填充步骤、光波导制造步骤、牺牲层释放步骤、气密封装步骤。本发明采用微电子深刻蚀方法，直接在绝缘体上硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，并利用绝缘体上硅晶圆的器件层单晶硅和埋氧层二氧化硅制造光束传输的硅基光波导，与微电子工艺完全兼容，具有更高的生产效率。同时，本发明的制造工艺直接在硅晶圆上制造硅基光电子传感芯片，有利于硅基微电子芯片在晶圆上实现光电混合的单片集成，进一步提升了系统的性能。此外，本发明在晶圆上制造硅基法珀压力传感芯片，可以在120℃以上的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN116314169B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN116153860B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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公开(公告)号：CN116425110A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686427.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有差分结构的高温光电压力传感芯片的晶圆级制造方法，采用微电子深刻蚀方法，直接在单晶硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，同时在硅晶圆上制造水平方向的光束传输的硅基条形波导，形成硅基法珀式压力传感器，器件具有单侧结构，具有进一步放大压力信号的功能。制造方法与微电子工艺完全兼容，可以满足大规模批量化生产的需求，且可以实现电‑光‑传感的晶上系统集成。此外，本发明的器件结构和制造工艺中没有易受温度影响的硅基掺杂工艺和金属化工艺，可以在接近硅基材料弹性形变极限温度的高温环境中工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314169A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN115542461B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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公开(公告)号：CN115420952A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211373362.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性测量平台及方法，该平台包括耐高温压阻测量样品、施力装置单元、局部加热单元、电学测量单元、电路转接板单元和计算机控制单元，所述施力装置单元用于对所述耐高温压阻测量样品施加应力，所述局部加热单元用于对所述耐高温压阻测量样品的压力敏感区域进行局部加热，所述电学测量单元用于分别测量受热和受力前后所述耐高温压阻测量样品电阻值的变化，所述电路转接板单元用于将所述耐高温压阻测量样品的电学信号引出并与所述电学测量单元连接，所述计算机控制单元用于控制所述施力装置单元的施加应力、控制所述局部加热单元的加热温度及实时精确测量并记录所述电学测量单元的测量结果。
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公开(公告)号：CN115323470A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211239595.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种实现多片晶圆电镀的装置，包括电镀槽，放置在电镀槽内的设置成多层结构的晶圆底座，与所述晶圆底座配合设置的并联连接的电极结构，以及与晶圆位置对应的阳极金属条。本发明利用晶圆底座分层结构，实现多片晶圆同时电镀，既节约电镀时间，又可以有效避免电镀溶液的污染与浪费；利用环形电极阵列，实现电镀沉积，既可以稳定晶圆，又可以保证电镀质量，提高电镀晶圆表面的均匀性；利用晶圆底座的稳定，可以实施与传统方式不同的电镀方法，将晶圆表面保持水平状态，针对大尺寸晶圆电镀，可以有效节省电镀溶液，节约成本。
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公开(公告)号：CN114823594B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210738227.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
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