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公开(公告)号：CN116990905B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311252627.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种折射率可调的亚波长光栅耦合器及其设计方法。该光栅耦合器包括依次层叠的衬底、埋氧层、波导层和上包层，模式光在波导层上沿第一方向传播，波导层包括光栅结构，光栅结构包括沿第一方向依次排列的多个单元光栅结构，其中，单元光栅结构包括第一折射率区和第二折射率区，第一折射率区包括第一波导；第二折射率区与第一折射率区相邻，第二折射率区包括多个沿第一方向交替排列的第二波导和间隔区，第二波导的折射率不等于间隔区的折射率，第一折射率区的等效折射率不等于第二折射率区的等效折射率，光栅结构的结构参数通过多次迭代确定。可实现调整光栅结构的有效折射率，降低器件的耦合损耗和尺寸，受制造工艺水平的影响较小。
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公开(公告)号：CN116314169B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN116314169A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN116990905A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311252627.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种折射率可调的亚波长光栅耦合器及其设计方法。该光栅耦合器包括依次层叠的衬底、埋氧层、波导层和上包层，模式光在波导层上沿第一方向传播，波导层包括光栅结构，光栅结构包括沿第一方向依次排列的多个单元光栅结构，其中，单元光栅结构包括第一折射率区和第二折射率区，第一折射率区包括第一波导；第二折射率区与第一折射率区相邻，第二折射率区包括多个沿第一方向交替排列的第二波导和间隔区，第二波导的折射率不等于间隔区的折射率，第一折射率区的等效折射率不等于第二折射率区的等效折射率，光栅结构的结构参数通过多次迭代确定。可实现调整光栅结构的有效折射率，降低器件的耦合损耗和尺寸，受制造工艺水平的影响较小。
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