公开(公告)号：CN103843135A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180073852.8

申请日：2011-09-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大野裕孝 ,  门口卓矢

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明以提供一种抑制了半导体元件与电极的疲劳断裂的半导体装置为课题。半导体装置包括：第一金属板；多个半导体元件，其被安装在所述第一金属板上；隔板，其被连接于所述多个半导体元件的、与安装于所述第一金属板上的安装面相反的一侧的面上；第二金属板，其被连接于所述隔板的、与连接于所述半导体元件上的连接面相反的一侧的面上；密封树脂，其在所述第一金属板与所述第二金属板之间对所述多个半导体元件进行密封，与在所述多个半导体元件之间以外的部位处因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力相比，在所述多个半导体元件之间因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力更被缓和。

公开(公告)号：CN103493197A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018795.8

申请日：2012-04-18

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  岩崎真悟 ,  川岛崇功 ,  奥村知巳 ,  西畑雅由

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/30 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一半导体元件（10）；第一厚板部（31），由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极（11）；第二半导体元件（20），其主表面面向第一半导体元件的主表面；第二厚板部（32），由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极（21）；第三厚板部（41），由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极（12）；第四厚板部（42），由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极（22）；第一薄板部（33、34），由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄；以及第二薄板部（43、44），由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。

公开(公告)号：CN109285787A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810786958.6

申请日：2018-07-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  花木裕治 ,  山中温子 ,  舟野祥 ,  高萩智 ,  岩崎真悟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，关于该半导体装置，金属板在树脂封装体的两面露出，提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中，准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中，将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中，以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体，在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入，并使树脂硬化。在去除工序中，去除覆盖金属板的树脂部分。

公开(公告)号：CN105575830B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510712706.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  柳本博 ,  平冈基记

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。

公开(公告)号：CN105556664B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480050991.2

申请日：2014-09-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 奥村知巳 ,  门口卓矢

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18

Abstract: 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上，第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外，第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且，在密封树脂体(66)内，与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。

公开(公告)号：CN105917463B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201480064023.7

申请日：2014-11-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495

Abstract: 一种半导体装置(1)，包括：基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间，并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。

公开(公告)号：CN104347573B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410350640.5

申请日：2014-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  平野敬洋 ,  原田新 ,  西畑雅由 ,  奥村知巳

IPC: H01L23/495 ,  H02M7/00 ,  H02M1/00

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开，提供一种引线框架，包括：并排地布置的第一岛和第二岛；外周框架；第一引线，第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二引线，第二引线在第二方向上延伸；第一联结部分，第一联结部分将第一引线联结到框架；第二联结部分，第二联结部分将第二引线联结到框架；中间部分，中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止；和变形抑制部分，变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中，并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。

公开(公告)号：CN106165202A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580012762.6

申请日：2015-01-19

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  原田新 ,  平野敬洋 ,  西畑雅由 ,  福谷启太 ,  奥村知巳

IPC: H01R13/03 ,  H01L23/50 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01R13/11

Abstract: 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。

公开(公告)号：CN105917463A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480064023.7

申请日：2014-11-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495

Abstract: 一种半导体装置(1)，包括：基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间，并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。

公开(公告)号：CN105575937A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510738180.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体装置(2)包括第一和第二半导体元件(3、5)和第一和第二导电构件(10、29)。第一半导体元件上的第一电极(3a)通过第一接合层(8a)接合至所述第一导电构件的第一堆叠部(12)。第二半导体元件上的第二电极(5b)通过第二接合层(8f)接合至所述第二导电构件的第二堆叠部(25)。所述第一导电构件的第一接头部(13)通过中间接合层(8g)接合至所述第二导电构件的第二接头部(26)。所述第一接头部的面向所述第二接头部的第一表面、所述第一接头部的与所述第一表面连续的侧表面、所述第二接头部的面向所述第一接头部的第二表面以及所述第二接头部的与所述第二表面连续的侧表面被镍层(19a、19b)覆盖。