公开(公告)号：CN110190154B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201910495256.7

申请日：2019-06-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨淮 ,  魏钟鸣 ,  李京波 ,  邓惠雄 ,  宗易昕 ,  文宏玉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。

公开(公告)号：CN110459632B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910771937.1

申请日：2019-08-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖梦琪 ,  魏钟鸣 ,  文宏玉 ,  邓惠雄 ,  宗易昕 ,  李京波

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法，该柔性偏振光探测器包括柔性衬底；核壳纳米线，其位于柔性衬底上，作为柔性偏振光探测器的有源区；以及源电极和漏电极，两者均设置在柔性衬底上且分别设置在核壳纳米线的两端。本发明使用核壳异质结构的纳米线作为有源区，异质结构比普通纳米线在一定程度上提高了偏振比率，提高了柔性偏振探测器件的灵敏度；通过改变核部分和壳部分的厚度可以改变核壳纳米线的线偏振探测器的偏振光探测波长，达到测试波长可调节的效果；工艺上简单操作容易，进一步推动集成化发展。

公开(公告)号：CN110416348B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910706871.8

申请日：2019-07-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵凯 ,  魏钟鸣 ,  李京波 ,  宗易昕 ,  邓惠雄 ,  文宏玉

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料。本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。

公开(公告)号：CN111463299B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010309213.8

申请日：2020-04-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  赵凯 ,  杨珏晗 ,  文宏玉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化硅层上，半导体层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极分别通过引线与IC插座针脚连接。本发明提供的基于宽禁带半导体氧化镓的日盲区紫外偏振光直接成像，其像元为纳米级的纳米带且氧化镓的光响应时间为微秒级别，可实现高分辨且快速的扫描目标。

公开(公告)号：CN111430536A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010309260.2

申请日：2020-04-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  房景治 ,  黎博 ,  廖志敏 ,  杨珏晗 ,  魏大海 ,  宗易昕 ,  文宏玉

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。

公开(公告)号：CN109950364A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910261491.8

申请日：2019-04-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  王晓亭 ,  李京波 ,  文宏玉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件，替代原来的电荷耦合元件，可以实现尺寸小，利于加工和集成的效果。