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公开(公告)号：CN103193484A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210005002.0
申请日：2012-01-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，所述方法是一种原位反应法，即，首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中，球磨使混合均匀；然后干燥除去有机溶剂，制得先驱体粉末；再将先驱体粉末在800～1000℃进行裂解处理；裂解处理后，再在惰性气氛下，于1500～1800℃进行热处理。本发明提供的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，具有操作简单，成本低，可规模化实施及可任意调节其中两相比例等优点，有助于实现ZrC-SiC复相陶瓷材料在超高温领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN103086731A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110335174.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/62868 , B82Y30/00 , C04B35/571 , C04B35/573 , C04B35/62863 , C04B35/62873 , C04B35/62894 , C04B35/62897 , C04B35/806 , C04B2235/3813 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/386 , C04B2235/3873 , C04B2235/483 , C04B2235/524 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及高强度纤维增强陶瓷基复合材料的微区原位反应制备方法，提供了一种高强度纤维增强陶瓷基复合材料的微区原位反应制备方法，该方法包括以下步骤：(i)在复合材料纤维预制体表面沉积界面层以对纤维增强体进行保护，其中，所述界面层包括PyC界面、BN界面、SiC界面、以及它们的复合界面；所述界面层的厚度为10-2000nm；(ii)向所述复合材料纤维预制体的孔隙中引入Si3N4陶瓷相，以获得复合材料预成型体；(iii)将所述复合材料预成型体进行致密化处理，获得高强度纤维增强陶瓷基复合材料，其中，所述致密化处理包括高温处理，使得Si3N4与复合材料中的含碳相之间通过相互扩散而发生微区原位反应形成SiC相，其中，所述高温处理的温度为1200-2300℃。
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公开(公告)号：CN119263868A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830289.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接方法。所述连接方法包括：(1)将SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接处打磨、抛光、超声清洗并干燥；(2)将SiC晶须、SiC粉体、陶瓷先驱体、催化剂、结合剂和溶剂充分混合，得到膏状封装剂；(3)将膏状封装剂均匀涂抹在SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接面处，置于化学气相沉积系统中依次进行连接层的陶瓷化与致密化，最终可得抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接层。
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公开(公告)号：CN106342335B8
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201010049198.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 大连金玛硼业科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种C-B4C中子吸收球及其制备方法，属于核材料领域。本发明是将石墨、碳化硼粉体和酚醛树脂加入到无水乙醇溶剂中，经混料、干燥造粒、等静压成型及气氛(真空)烧结后，经加工后采用化学气相沉积技术进行表面改性处理，得到性能优异的C-B4C中子吸收球。本发明提供的中子吸收球制备工艺简单，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112573922A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011336152.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/52 , C04B35/573 , C04B35/622 , H05K9/00 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/碳纳米管杂化网络增强碳化硅基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用含有石墨烯、碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和固化剂的浆料，利用3D打印技术堆积浆料，再经固化，得到石墨烯/碳纳米管/PDMS定向立方阵列；以及采用化学气相渗透工艺在所得石墨烯/碳纳米管/PDMS定向立方阵列中原位生长SiC基体，得到石墨烯/碳纳米管杂化网络增强碳化硅基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109678539A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710980481.0
申请日：2017-10-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/583 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/583 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B2235/5248 , C04B2235/616 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）利用真空作用将含有聚硼硅氮烷和自由基引发剂的前驱体混合溶液引入到碳纤维预制体中，然后在密封状态下交联固化，并在惰性气氛下裂解，得到Cf/SiBCN陶瓷基复合材料，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；（2）重复浸渍-交联固化-裂解6～8次，得到所述致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN108910888A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810865340.9
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/956 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法，所述碳化硅纳米线宏观有序体的制备方法包括：将碳化硅纳米线分散于溶剂中，再加入分散剂、粘结剂和增塑剂混合，得到碳化硅纳米线浆料；采用流延法将碳化硅纳米线浆料制成无序碳化硅纳米线薄膜；采取机械拉伸法处理无序碳化硅纳米线薄膜，得到所述碳化硅纳米线宏观有序体。
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公开(公告)号：CN104891495B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510398199.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/991
Abstract: 本发明涉及一种高产率低温合成碳化硼粉体的方法，包括：按（4～7）：10的摩尔配比分别称取硼酸和聚乙烯醇，将硼酸与丙三醇混合搅拌至完全溶解，加入碱调节pH至4～6，得到硼酸溶液；将聚乙烯醇与水混合搅拌至完全溶解，得到聚乙烯醇溶液；将所得硼酸溶液和所得聚乙烯醇溶液混合搅拌并在加热下蒸发溶剂至完全形成凝胶；将所得凝胶进行干燥，得到干凝胶；将所得干凝胶在真空或惰性气氛下于500～700℃保温2～4小时进行裂解；将裂解产物在真空或惰性气氛下于1300～1500℃保温3～5小时进行碳热还原，得到碳化硼粉体。本发明同时克服了硼酸‑丙三醇体系凝胶后续处理过程中B2O3挥发损耗严重和硼酸‑聚乙烯醇体系硼酸浓度过低的局限。
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公开(公告)号：CN105519255B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201218000406.1
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出了一种提高SiC基复合材料支撑结构环境适用性的原位结合工艺，其特征在于所述的原位结合工艺包括三种途径：途径一，对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗，烘干后放入气相渗透处理炉中，抽真空，在真空状态下升温至沉积温度，通入反应气体，通过CVI工艺在PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件上形成陶瓷增强层；途径二，在途径一制备的陶瓷增强层的基础上于其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜；途径三，对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗、烘干后在其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜。本发明可广泛应用于空间光学系统反射镜支撑结构中。
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公开(公告)号：CN106342335B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010049198.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 大连金玛科技产业有限公司
Abstract: 本发明涉及一种C-B4C中子吸收球及其制备方法，属于核材料领域。本发明是将石墨、碳化硼粉体和酚醛树脂加入到无水乙醇溶剂中，经混料、干燥造粒、等静压成型及气氛(真空)烧结后，经加工后采用化学气相沉积技术进行表面改性处理，得到性能优异的C-B4C中子吸收球。本发明提供的中子吸收球制备工艺简单，成本低，易于规模化生产。
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