一种高熵陶瓷粉体及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116986907A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310924892.3

    申请日:2023-07-26

    IPC分类号: C04B35/56 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法。所述制备方法包括:(1)将过渡金属碳化物粉体和Si粉配成混合料,进行球磨混合,得到待处理的混合粉体或混合粉体悬浊液;所述过渡金属碳化物粉体的总质量与Si粉的质量比为(5~30):1;(2)将步骤(1)得到的待处理混合粉体或混合粉体悬浊液进行中间处理,得到待烧混合粉体;(3)将步骤(2)得到的待烧混合粉体在真空或惰性气氛下热处理,获得单相熵稳定碳化物陶瓷粉体;(4)将步骤(3)获得的单相熵稳定碳化物陶瓷粉体破碎、过筛,得到分散均匀、颗粒细小的熵稳定碳化物陶瓷粉体。

    一种Cf/HfC-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110002890A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910314137.7

    申请日:2019-04-18

    摘要: 本发明涉及一种Cf/HfC-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法,该制备方法包括:(1)将铪源化合物、碳源化合物和稳定剂溶解在溶剂中,得到HfC-C前驱体溶液,所述铪源化合物为热分解可得到氧化铪的铪盐;(2)采用真空浸渍法,将所得HfC-C前驱体溶液引入到碳纤维预制体中,再经固化、裂解和碳热还原处理,得到Cf/HfC-C多孔预成型体;(3)将所得碳纤维预制体重复步骤(2)至少1次,然后采用Si或HfSi2对所得Cf/HfC-C多孔预成型体进行反应熔渗处理,得到所述Cf/HfC-SiC超高温陶瓷基复合材料。