-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113105257B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110323519.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种纤维增强陶瓷基复合材料用界面层及其筛选方法，所述纤维增强陶瓷基复合材料用界面层的组分为SiBN，其中Si的含量为2.01～25.19at%，B的含量为49.03～73.32at%，N的含量为22.38～40.97at%，各组分百分含量之和为100at%。
-
公开(公告)号：CN113135758A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110323660.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/84 , C23C16/36 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。
-
公开(公告)号：CN113135758B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110323660.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/36 , C23C16/455 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/84
Abstract: 本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。
-
公开(公告)号：CN117945764A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410035940.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/628 , C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/622 , C04B35/571 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。其中，SiBCN界面层的制备方法包括：(1)将纤维预制体用夹具固定并放置于炉内反应室中，在真空状态下升温至沉积温度600～850οC并保温0.5h～2h；(2)三氯甲基硅烷以CH3Cl3Si为硅源和碳源，BCl3为硼源，NH3为氮源，H2为稀释气体和载气，Ar为稀释气体，控制NH3和BCl3分别通过不同的输送管道输送至反应室内，在0.01～3KPa，600～850℃下沉积2h～20h，在纤维预制体中纤维表面制备得到SiBCN界面层；(3)将沉积有SiBCN界面层的纤维预制体经稳定化处理，得到所述高性能SiBCN界面层。
-
公开(公告)号：CN113105257A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110323519.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种纤维增强陶瓷基复合材料用界面层及其筛选方法，所述纤维增强陶瓷基复合材料用界面层的组分为SiBN，其中Si的含量为2.01～25.19at%，B的含量为49.03～73.32at%，N的含量为22.38～40.97at%，各组分百分含量之和为100at%。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.058 seconds)
