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公开(公告)号：CN119263868A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830289.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接方法。所述连接方法包括：(1)将SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接处打磨、抛光、超声清洗并干燥；(2)将SiC晶须、SiC粉体、陶瓷先驱体、催化剂、结合剂和溶剂充分混合，得到膏状封装剂；(3)将膏状封装剂均匀涂抹在SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接面处，置于化学气相沉积系统中依次进行连接层的陶瓷化与致密化，最终可得抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接层。
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公开(公告)号：CN115677355B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110857910.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/34 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。
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公开(公告)号：CN114685179A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011593367.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括：（1）将纤维布浸渍于碳化硅浆料中并取出，得到纤维浸渍片后再经裁剪、烘干、加压固化和第一次热解处理，得到预成型体；（2）将有机树脂、造孔剂和溶剂混合后，得到造孔浆料；（3）将所得预成型体真空浸渍在造孔浆料中并取出，再经固化和第二次热解处理，得到熔渗预制体；（4）采用硅粉或/和硅合金粉包埋所得熔渗预制体，经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN106342335B8
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201010049198.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 大连金玛硼业科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种C-B4C中子吸收球及其制备方法，属于核材料领域。本发明是将石墨、碳化硼粉体和酚醛树脂加入到无水乙醇溶剂中，经混料、干燥造粒、等静压成型及气氛(真空)烧结后，经加工后采用化学气相沉积技术进行表面改性处理，得到性能优异的C-B4C中子吸收球。本发明提供的中子吸收球制备工艺简单，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN111662091B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010543816.4
申请日：2020-06-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/571 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将短碳纤维、分散剂、粘结剂和溶剂混合，得到短碳纤维浆料；（2）将所得短碳纤维浆料通过3D打印成型制备得到短碳纤维定向排列的增强体；（3）将所得增强体经过干燥和排胶后，再制备界面相和部分SiC基体，最后经过致密化工艺，得到所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108585906B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810368778.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/622 , C04B35/56 , C04B35/565
Abstract: 本发明提供一种Cf/ZrC‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述方法包括：（1）将造孔剂、碳源和ZrC陶瓷前驱体混合，得到改性后的ZrC‑C陶瓷前驱体；（2）将改性后的ZrC‑C陶瓷前驱体引入碳纤维预制体中，再经固化‑裂解‑碳热还原后，得到纳米多孔Cf/ZrC‑C预成型体；（3）将熔融硅或熔融硅锆合金渗入Cf/ZrC‑C多孔预成型体中进行熔渗反应，得到所述Cf/ZrC‑SiC超高温陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN110668457A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911047283.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法，所述二维硼碳氮纳米材料的片状直径为1～50μm，层数为1～10层；所述二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法包括：（1）将硼源、固体碳源和纳米氧化铁催化剂加入溶剂中并混合得到混合浆料；所述硼源选自固体硼源或/和液体硼源，优选为无定形硼粉、硼酸三甲酯、硼砂中的至少一种；所述固体碳源选自石墨、石墨烯、活性炭中的至少一种；（2）将所得混合浆料涂敷在衬底表面并烘干，置于压力2～40atm的氮气气氛中、在800～1400℃下热处理0.5～20小时，得到所述二维纳米硼碳氮半导体材料。
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公开(公告)号：CN110407597A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810403479.1
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种稀土氧化物改性碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述方法包括：将纤维预制体浸渍于稀土盐溶液中并蒸发所述稀土盐溶液的溶剂后，得到负载有稀土盐的纤维预制体；将所得负载有稀土盐的纤维预制体置于惰性气氛中，在500～900℃下裂解20～40分钟后，再经过熔渗Si致密化或CVI致密化，得到所述稀土氧化物改性碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN109836163A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711216984.7
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种提高SiCf/Si-B-C自愈合陶瓷基复合材料抗高温水/氧侵蚀性能的方法，所述SiCf/Si-B-C自愈合陶瓷基复合材料包括Si-B-C基体和分布于Si-B-C基体中的SiC纤维，在Si-B-C基体中引入改性组分以提高所述SiCf/Si-B-C自愈合陶瓷基复合材料的抗高温水/氧侵蚀性能，所述改性组分为含Al、稀土元素的氧化物、硼化物和氮化物中的至少一种，优选为Al2O3和/或LaB6。
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公开(公告)号：CN105272262A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510638187.2
申请日：2015-09-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种提高SiC/SiC陶瓷基复合材料致密度的方法，包括以下步骤：（1）将具有一定致密化程度的SiC/SiC陶瓷基复合材料浸没于均匀分散有有机前驱体和SiC粉体的浆料中，在真空度为5～10KPa的环境中浸渍20～50分钟；（2）将真空浸渍后的材料干燥后进行交联固化；（3）将交联固化后的材料进行裂解处理；（4）将裂解处理后的材料在含有Si和C元素的气态前体的氛围中采用化学气相渗透工艺进行进一步的致密化处理，其中渗透温度为850℃～1100℃，压强为10～20KPa，渗透时间为4～30小时。该方法具备操作简单，致密化时间较短，具有很好的可重复性，致密化效率高，在填充材料孔隙方面具有明显的优势，是一种极具操作性和发展前途的方法。
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