公开(公告)号：CN115784749B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202111056523.4

申请日：2021-09-09

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  张俊敏 ,  陈小武 ,  张翔宇 ,  杨金山 ,  胡建宝 ,  廖春景 ,  秦浩 ,  薛玉冬

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN115784749A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111056523.4

申请日：2021-09-09

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  张俊敏 ,  陈小武 ,  张翔宇 ,  杨金山 ,  胡建宝 ,  廖春景 ,  秦浩 ,  薛玉冬

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN114685179A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011593367.0

申请日：2020-12-29

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 陈小武 ,  张俊敏 ,  董绍明 ,  张翔宇 ,  杨金山 ,  阚艳梅 ,  胡建宝 ,  廖春景

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括：（1）将纤维布浸渍于碳化硅浆料中并取出，得到纤维浸渍片后再经裁剪、烘干、加压固化和第一次热解处理，得到预成型体；（2）将有机树脂、造孔剂和溶剂混合后，得到造孔浆料；（3）将所得预成型体真空浸渍在造孔浆料中并取出，再经固化和第二次热解处理，得到熔渗预制体；（4）采用硅粉或/和硅合金粉包埋所得熔渗预制体，经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。