公开(公告)号：CN116986907A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310924892.3

申请日：2023-07-26

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  蔡飞燕 ,  倪德伟 ,  邹雪刚 ,  胡洋 ,  丁玉生

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将过渡金属碳化物粉体和Si粉配成混合料，进行球磨混合，得到待处理的混合粉体或混合粉体悬浊液；所述过渡金属碳化物粉体的总质量与Si粉的质量比为(5～30)：1；(2)将步骤(1)得到的待处理混合粉体或混合粉体悬浊液进行中间处理，得到待烧混合粉体；(3)将步骤(2)得到的待烧混合粉体在真空或惰性气氛下热处理，获得单相熵稳定碳化物陶瓷粉体；(4)将步骤(3)获得的单相熵稳定碳化物陶瓷粉体破碎、过筛，得到分散均匀、颗粒细小的熵稳定碳化物陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN115385712A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110569439.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  蔡飞燕 ,  倪德伟 ,  高乐 ,  何平 ,  张翔宇 ,  丁玉生

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，具体涉及一种Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C‑SiC高熵超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体，以及依次形成在碳纤维预制体中(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体和SiC陶瓷基体组成，其中a=18～22%、b=18～22%、c=18～22%、d=18～22%、e=18～22%，且a+b+c+d+e=1；所述(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体的含量为40～60wt%。

公开(公告)号：CN119661244A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411919408.9

申请日：2024-12-25

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 杨金山 ,  沈旭 ,  董绍明 ,  田力 ,  蔡飞燕

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种NITE‑SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：粉体制备、SiC纤维编织、浆料浸渍和热压烧结；所述粉体制备为：通过熔盐法在SiC粉体表面原位生长RE3Si2C2包覆层，得到RE3Si2C2包覆SiC的SiC@RE3Si2C2粉体；所述熔盐法包括：以稀土金属单质粉末或稀土金属氢化物为原料，与SiC粉体和熔盐混合，经合成，得到RE3Si2C2包覆SiC的SiC@RE3Si2C2粉体；所述浆料浸渍为：将SiC@RE3Si2C2粉体与混合溶液混合制备SiC@RE3Si2C2浸渍浆料，然后将SiC纤维编织体浸入所述SiC@RE3Si2C2浸渍浆料。