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公开(公告)号：CN103856044A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410100047.5
申请日：2014-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法，所述电路包括：用于根据输出电压的变化产生使能信号的使能信号产生电路，其通过控制所述升压模块的工作状态调节输出电压，最终输出电压控制在一个允许的范围内波动；连接于所述使能信号产生电路的升压模块；用于转移所述升压模块中的电荷的泵电容以及连接于所述升压模块输出端，用于储存电荷并输出相应电压的输出电容。所述方法包括：使能信号起效，升压模块工作；Vbg、Vin及Vout生成使能信号；Vout升高至(Vout－Vin)大于Vref1时功率管关断，Vout下降；Vout降低至(Vout－Vin)小于Vref2时，升压模块工作；Vout最终在Vref1与Vref2之间波动。本发明兼顾了低输出纹波、高电源效率及快负载瞬态响应速度，有效改善电荷泵的性能。
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公开(公告)号：CN113268860B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110451730.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流；温度计算模块，用于根据所述相变单元的电压和电阻，结合设置的所述相变单元的参数计算所述相变单元的温度；结晶熔融控制模块，用于对所述相变单元的温度进行判断，得到控制指令；结晶率计算模块，用于根据所述控制指令计算结晶率；熔融率计算模块，用于根据所述控制指令计算熔融率；所述结晶率熔融率存储模块用于保存计算得到的结晶率和熔融率。本发明能够更为准确地仿真模拟出相变存储器件在电路中的工作状态。
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公开(公告)号：CN116029246A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310011031.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型，包括器件模型，所述器件模型包括串联的选通管模型和相变存储器模型，还包括：电压模块，用于向所述选通管模型和相变存储器模型提供电压；参数分布模块，用于提供带有统计特性的选通管模型和相变存储器模型的尺寸；电流模块，用于根据器件模型当前的状态以及两端电压计算所述器件模型的电流；状态模块，用于根据器件模型的上一时刻的状态、器件模型的电流或温度判断器件模型当前所处的状态。本发明能够模拟三维相变存储器1S1R结构的电学特性的统计特性。
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公开(公告)号：CN110289037B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN109935270B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098832B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN110619906A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910763063.5
申请日：2019-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法，涉及微电子技术领域，解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元，读出方法按照由高位到低位的顺序逐位读取目标相变存储单元的N位二进制数据，读出方法包括N个阶段，第M阶段包括步骤：获取目标相变存储单元当前状态所对应的读电流；获取参考电流，其中，当M＝1时选择起始参考电流，当M>1时根据之前读出的数据位选择对应阶段的参考电流；比较读电流和对应阶段的参考电流，获得读出电压信号；处理读出电压信号，获得二进制数据的第N-M+1位数据信号；其中，1≤M≤N。
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公开(公告)号：CN110335636A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910605311.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统，包括：数据存储模块，包括多个存储数据的数据单元；参考模块，包括多个参考单元，2k-1个参考单元对应1个数据单元，用于存储与存储的数据对应的参考信号，k为存储的数据比特；读出功能模块，在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出，并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储，通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响，实现高密度存储；设置检纠错功能，通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性；设置参考单元，通过参考单元计算还原存储的数据，实现高可靠性读取；同时降低检纠错的难度，进一步提高可靠性。
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公开(公告)号：CN110289037A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN109935270A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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