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公开(公告)号：CN111739799A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553375.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二层钝化层进行刻蚀，预处理后沉积栅极金属；在器件表面沉积第三层钝化层，退火，然后刻蚀，沉积加厚金属；沉积第四层钝化，将需要制版连线部位上的钝化层刻蚀，漏出加厚金属，并制备连线。该方法简单、易操作、成本低廉，能够有效减小器件漏电。
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公开(公告)号：CN107527803B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710737098.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介质层。通过上述技术方案，本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质薄膜与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明的利用ALD技术形成的栅介质层临界击穿强度高，漏电小，具有较高的介电常数，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿。
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公开(公告)号：CN105129788B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510599025.2
申请日：2015-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水，提高吸附在所述石墨烯层表面的H2O/O2分子对中H2O的浓度，从而使H2O/O2分子对中O2的浓度相对降低，形成N型石墨烯层。本发明的水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，不会破坏石墨烯晶体结构，易于硅基集成，简单高效，且该法制备的N型石墨烯层具有可逆性，在高温退火下可被修复形成P型石墨烯层或本征石墨烯层。
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公开(公告)号：CN102969244A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210533291.1
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向所述漂移区进行N型离子注入；退火，在该漂移区形成离子浓度呈线性增加的N型漂移区；提供一设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，P型柱区离漏极区有一定距离，退火后形成间隔的P柱和N柱；最后形成沟道、源区、漏区和栅区域。本发明使N柱的浓度从源端到漏端逐渐增加，消除漂移区剩余电荷，由于P柱离漏极有一定的距离，因此降低了漂移区电荷不平衡对器件性能的影响，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN119000745A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410941473.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01N23/00 , G01B15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于同步辐射衍射的晶圆缺陷三维表征装置和方法，其中，装置包括：晶圆载盘，用于放置待测晶圆；同步辐射光源，用于产生同步辐射光；双晶单色器，用于对所述同步辐射光进行单色化处理，并使得处理后的光束穿过狭缝照射到所述待测晶圆；X射线二维成像探测器，置于所述待测晶圆的出射衍射光的光路上，用于对所述出射衍射光进行扫描，得到待测晶圆的衍射图像；数据处理模块，用于对所述X射线二维成像探测器采集的多张待测晶圆的衍射图像进行叠加，形成三维图像得到不同深度的晶圆表面缺陷分布信息。本发明能有效区分缺陷所在深度及三维分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737869A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410714688.3
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种硅片缺陷态检测方法及缺陷态检测样品，方法包括：提供预设位置上表面设置第一肖特基接触电极和第二肖特基接触电极构成肖特基器件的待检测样品；测量肖特基器件的电导‑电压特性曲线；不同频率下电导变化最大的扫描电压为特征电压；在特征电压下频率扫描得到电导‑频率响应特性曲线，其电导突变峰对应频率为特征频率，特征频率对应预设位置的缺陷类型。本发明通过在硅片正面设置双肖特基接触电极、背面设置欧姆接触电极，常温下得到深能级缺陷的物理特征，无需对硅片进行变温处理或改变硅片内部结构，测试条件简捷，且可精确得到深能级的原生缺陷类型、浓度、能级位置等关键参数，有利于大尺寸硅片的可靠性测量。
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公开(公告)号：CN118130905A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410130175.8
申请日：2024-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体外延层电阻率的测量方法，包括以下步骤：获取待测外延片各个外延层的电阻率；根据所述待测外延片第一外延层的电阻率计算所述第一外延层的耗尽区厚度，所述第一外延层为最靠近衬底的外延层；利用所述第一外延层的耗尽区厚度对所述待测外延片各个外延层的电阻率进行修正。本发明能够准确测量与衬底掺杂异型的外延片各外延层的电阻率。
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公开(公告)号：CN117712203A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723009.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南方科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器、制备方法及应用，依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。本发明在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下，有效提升了三维石墨烯的光电性能，由此本发明提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。
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公开(公告)号：CN117478111A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311426523.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/041 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路，包括低速支路和高速支路，所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连，输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连，所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的快速开关；所述低速支路在即将进入稳态时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的低栅压振荡。本发明能够同时实现高速开关和低栅压振荡。
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公开(公告)号：CN111739799B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010553375.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二层钝化层进行刻蚀，预处理后沉积栅极金属；在器件表面沉积第三层钝化层，退火，然后刻蚀，沉积加厚金属；沉积第四层钝化，将需要制版连线部位上的钝化层刻蚀，漏出加厚金属，并制备连线。该方法简单、易操作、成本低廉，能够有效减小器件漏电。
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