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公开(公告)号：CN102223140A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145805.7
申请日：2010-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明还提出了一种可实现上述方法的太赫兹振荡器及其制作方法。该碳纳米管太赫兹振荡器由芯片和与之连接的外围电路组成，作为一种新型的固态THz振荡器，具有结构简单、易于集成以及可以室温工作等优点，有望在未来的空间无线通信系统中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN114843724B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110144740.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度，缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱，以构成缺陷子周期结构，且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器，可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器，填补了这一领域的空白。
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公开(公告)号：CN117368531A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210770383.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q60/18
Abstract: 本发明提供一种近场光学显微镜系统及成像方法至少包括：微反射镜阵列、光路模块及显微镜模块，其中：微反射镜阵列、光路模块均与显微镜模块连接；微反射镜阵列接收所述光路模块产生的激光信号，通过调节微反射镜阵列中每一个微反射镜的方向，调整激光信号在所述光路模块上产生的波前信息；调节每一个反射镜的旋转角度，将激光信号反射至所述显微镜模块，使所述显微镜模块产生满足对比度和分辨率要求的探测信号，对样品的近场光学信息进行探测。利用微反射镜阵列辅助探测样品的近场光学信息，能够有效地抑制背景噪声，增强反射光的强度，极大提高成像的分辨率和对比度；结构简单，操作便捷，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN114843724A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110144740.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度，缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱，以构成缺陷子周期结构，且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器，可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器，填补了这一领域的空白。
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公开(公告)号：CN114839717A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145539.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱位于金属柱阵列中，且缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度。本发明在表面波光子晶体结构的基础之上，通过结合金属板，可集成包括表面波光子晶体结构及金属‑绝缘体‑金属结构的二维封闭式表面波光子晶体结构，以提供一种抗干扰性较强、集成度较高的二维封闭式表面波光子晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111262127A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010079728.3
申请日：2020-02-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长InxGa1-xAs外延层薄膜；S2：外延层薄膜远离供体衬底的一面为注入面，自注入面向外延层进行离子注入和在注入面表面沉积第一金属层，注入的离子在外延层内形成剥离层；S3：在支撑衬底表面沉积第二金属层；S4：通过将第一金属层和第二金属层键合使得支撑衬底、第二金属层、第一金属层、外延层和供体衬底依次连接形成整体；S5：将键合后的整体进行退火处理，沿剥离层将供体衬底剥离，外延层转移至支撑衬底上形成硅基InGaAs衬底；本发明还提供一种衬底及激光器；本发明能够突破现有二元化合物晶格常数对激光器的限制，扩大生长在衬底上的激光器在材料选择和结构设计的自由度。
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公开(公告)号：CN105721085B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610082710.2
申请日：2016-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B17/391
Abstract: 本发明提供一种太赫兹室内通信信道的建模方法，能够用来准确地预测太赫兹波室内的传播特性和功率分布，其包括步骤：设置室内建模的仿真场景及其相关参数，包括房间尺寸、室内物品摆设位置和尺寸、墙面及各物体表面材料参数、太赫兹波频率等；确定太赫兹波发射机的位置和接收机的位置等参数；根据镜像对称法则，确定各条镜面反射光线的反射点，计算反射路径总长度，得到反射功率值；在镜面反射点周围均匀放置一系列的小方块作为散射点，计算散射路径总长度，得到散射功率值；根据室内场景确认是否有直接视距路径和衍射路径，若有则计算其功率值；汇总所有功率值，得到功率分布。本发明具有广泛适用性，算法简单，易于实现，预测精准。
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公开(公告)号：CN103337772B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310278153.8
申请日：2013-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件，包括衬底及形成于该衬底上的扶椅型石墨烯纳米带；所述衬底上、该石墨烯纳米带的两端上分别设有电极，该电极之间加有一为所述石墨烯纳米带两端提供直流偏置电压的直流电源，使得该石墨烯纳米带在该直流偏置电压下产生频率处于太赫兹频段的高频电流振荡。本发明中，石墨烯纳米带在外加偏置电压下于太赫兹频段表现出负微分特性，可以产生太赫兹波。基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件在产生太赫兹波方面具有天然的优越性，能够实现较大的太赫兹增益。且石墨烯纳米带易于操纵、裁剪及容易集成，使得基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件的设计灵活性更大。
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公开(公告)号：CN103337772A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310278153.8
申请日：2013-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件，包括衬底及形成于该衬底上的扶椅型石墨烯纳米带；所述衬底上、该石墨烯纳米带的两端上分别设有电极，该电极之间加有一为所述石墨烯纳米带两端提供直流偏置电压的直流电源，使得该石墨烯纳米带在该直流偏置电压下产生频率处于太赫兹频段的高频电流振荡。本发明中，石墨烯纳米带在外加偏置电压下于太赫兹频段表现出负微分特性，可以产生太赫兹波。基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件在产生太赫兹波方面具有天然的优越性，能够实现较大的太赫兹增益。且石墨烯纳米带易于操纵、裁剪及容易集成，使得基于石墨烯纳米带的太赫兹波产生器件的设计灵活性更大。
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公开(公告)号：CN101582680A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910052699.5
申请日：2009-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可调谐超晶格振荡器的实现方法，其特征在于(1)利用外加磁场和电场调控超晶格振荡器中电流振荡模式和振荡频率，所述的超晶格振荡器是基于载流子的共振隧穿机制的弱耦合超晶格；(2)所述的外加磁场的方向垂直于超晶格的方向，所述的电场为直流偏压，直流偏压沿超晶格生长方向；(3)在超晶格振荡器上固定直流偏压产生无阻尼振荡电流之后，通过调节外加磁感应强度对超晶格振荡器的振荡频率进行连续调节。总之，本发明利用外加磁场和电场的调控能够实现超晶格振荡器振荡频率的连续性变化。
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