公开(公告)号：CN101604657A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910053503.4

申请日：2009-06-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。

公开(公告)号：CN1193421C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03115426.3

申请日：2003-02-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  王湘 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提出了一种形成半导体衬底的方法，它是一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1173386C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02110920.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈猛 ,  王湘 ,  王曦 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/108

Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法，其特征在于，(1)再在30-210 keV能量下氧离子，注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择，使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低；(2)注入完成后，退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟，1000℃保持1小时，在1300～1350℃经过5～10小时保温；(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min，1200～1000℃为20℃/min，1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D＝(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35)，用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针孔密度小，从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。

公开(公告)号：CN1383189A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02110920.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈猛 ,  王湘 ,  王曦 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/108

Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后,退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。