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公开(公告)号：CN103219275A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017889.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/36 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。
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公开(公告)号：CN102633258A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210144356.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN117712202A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711379.2
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , G01D5/26
Abstract: 本发明提供了一种光电异质结、制备方法、光电检测装置及应用，在硅衬底上制备三维石墨烯层，在所述三维石墨烯层的表面旋涂硫化铅量子点溶液，由硫化铅量子点对三维石墨烯层的表面进行修饰，以使三维石墨烯层转换成改性三维石墨烯层，以获得光电异质结。
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公开(公告)号：CN111850675A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362435.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。
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公开(公告)号：CN111267247A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477368.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述阴极还包括控制所述线状电极沿着所述线状电极的长度方向移动的线状电极支撑装置。根据本发明的晶棒切片装置能够使阴极的线状电极上析出的氢气及时脱除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111267246A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477291.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置和方法，所述装置包括：电源，所述电源输出直流电和交流电；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源输出的所述直流电的正极电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源输出的所述直流电的负极电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触；支撑装置，用以控制所述线状电极与所述晶棒之间的相对位置；根据本发明的晶棒切片装置和方法，通过支撑装置控制线状电极和晶棒之间的相对位置配合电源直流电和交流电的加载，能够使线状电极上的氢气及时脱除，保证了晶棒切片的质量。
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公开(公告)号：CN111267244A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477274.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极相对所述晶棒的轴向垂直设置且与所述晶棒不接触；其中，所述晶棒位于所述晶棒支撑装置与所述阴极之间，通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片。根据本发明的晶棒切片装置和方法，有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，实现了非接触切割，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
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公开(公告)号：CN105428300B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410472955.7
申请日：2014-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种吸附剥离制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：提供一衬底，在其上依次外延掺杂单晶层、超晶格结构层及待转移层；然后进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶层下表面以下预设深度；再提供一表面形成有绝缘层的基板，与待转移层键合形成键合片并进行退火处理，使掺杂层吸附离子形成微裂纹从下表面处剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用掺杂层吸附剥离及键合来制备绝缘体上材料，其中，掺杂层由掺杂单晶层及非掺杂或低掺杂的超晶格结构层叠加而成；超晶格结构层可以增强掺杂单晶层的离子吸附能力，使得掺杂单晶层在低掺杂浓度下也可以发生吸附剥离，而低掺杂浓度可以降低掺杂离子扩散到待转移层中的几率，保证待转移层的质量。
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公开(公告)号：CN105060286B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510532088.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱。本发明以催化基底例如半导体材料锗（体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗、三五族上外延锗等）为催化剂，通过气态或固态碳源在催化基底表面制备石墨烯，在非氧化性气氛保护下，调节降温速率(200℃/min‑1℃/min)，可以方便高效的控制制备的石墨烯表面褶皱的形貌（高度、宽度）及密度，制得的褶皱状石墨烯在传感器、柔性电子器件、生物等领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN104752308B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310732416.8
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2：接着再外延生长一待转移层；S3：从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬底的界面以下预设深度；S4：提供表面具有绝缘层的基板与所述待转移层键合形成键合片，并在第一预设温度下退火并保持第一预设时间，以使所述掺杂单晶薄膜吸附离子并形成微裂纹；S5：再将所述键合片在第二预设温度下退火并保持第二预设时间，剥离得到绝缘体上材料；所述第一预设温度高于所述第二预设温度，所述第一预设时间小于所述第二预设时间。本发明可以减小制备周期，降低成本，且无需经过后续CMP处理。
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