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公开(公告)号：CN109900737B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910167946.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提出一种基于等效温度的光学元件弱吸收测试装置及方法，首先利用泵浦激光辐照样品，达到稳态后利用红外热像仪记录样品表面最高温度，并利用泵浦光功率计测试样品的反射和透射功率；第二步，利用探测激光器(CO2激光器，光斑尺寸与泵浦激光光斑大小相同)辐照样品表面，一般CO2对于介质膜等光学元件吸收率为1，逐渐增加探测激光功率使得样品表面温度达到第一次测试的温度，此时读取探测光功率计中的功率；最后利用探测光功率计的读数比上样品的反射与透射功率之和，即为样品表面的弱吸收率。本发明主要利用一般光学元件对CO2激光的吸收率为1，样品在泵浦光辐照下的温度特性来测试表面的弱吸收率，相比现有的技术测试不仅精度高而且操作更加简单、方便，不需要后期数据处理。
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公开(公告)号：CN111141096A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010063734.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种集成化反射式光栅主动冷却装置，包括光栅基板背面微通道冷却层、缓冲层、微通道密封部件、温度传感器和水冷机组件。本发明装置的主要优点是：微通道冷却层直接刻蚀在反射式光栅基板的背面，实现了光栅和微通道结构的高度集成化，所述的光栅基板上具有不同深宽比微通道结构，满足反射式光栅不同负载激光功率下不同冷却需求。
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公开(公告)号：CN110879433A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911167157.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种基于光热折变玻璃的反射式体光栅制备方法，包括步骤：(1)曝光面进行精抛光；采用双束紫外平行光形成的干涉条纹对PTR玻璃进行曝光；采用450-550℃的温度进行热显影；沿垂直于曝光入射面方向切割；对切割面精抛光处理后镀上对使用波长λ使透过率大于99.5％的全介质减反膜，完成反射式体光栅的制备。本发明通过调节曝光角度θ可实现对使用波长的调控，通过对曝光时长、热处理温度和时长实现对反射式体光栅的衍射效率(10％～99％)进行调控，通过切割厚度(0.3mm～30mm)调控实现对光谱半高宽(0.02nm～1nm)进行调控。通过工艺参数调节实现自由调控，且有利于实现规模化量产。
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公开(公告)号：CN110230096A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910559682.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种三硼酸锂晶体表面增透微结构，其对紫外、可见、近红外光具有增透效果。微结构参数有周期、深度、占空比等。微结构各单元形状为长方体、圆柱体、圆锥体或圆台结构。微结构参数及各单元形状由特定使用波长所决定。本发明的表面增透微结构能够有效提升三硼酸锂晶体在特定波长的透过率，且透过带宽也很宽，很好地满足了高透过率、宽带的要求，对于高功率激光系统具有非常重要的实际意义。
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公开(公告)号：CN109900737A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910167946.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提出一种基于等效温度的光学元件弱吸收测试装置及方法，首先利用泵浦激光辐照样品，达到稳态后利用红外热像仪记录样品表面最高温度，并利用泵浦光功率计测试样品的反射和透射功率；第二步，利用探测激光器(CO2激光器，光斑尺寸与泵浦激光光斑大小相同)辐照样品表面，一般CO2对于介质膜等光学元件吸收率为1，逐渐增加探测激光功率使得样品表面温度达到第一次测试的温度，此时读取探测光功率计中的功率；最后利用探测光功率计的读数比上样品的反射与透射功率之和，即为样品表面的弱吸收率。本发明主要利用一般光学元件对CO2激光的吸收率为1，样品在泵浦光辐照下的温度特性来测试表面的弱吸收率，相比现有的技术测试不仅精度高而且操作更加简单、方便，不需要后期数据处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115437219B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210949541.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 清华大学
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种大口径基板表面光刻胶膜均匀烘烤设备，该设备主要包括烘烤系统、基板上下样系统及控制系统。所述的烘烤系统主要由循环风机、加热元件、高效过滤器、烘烤腔室、腔室密封圈、风向导流片、进风端口、回风端口和循环风道、气体输入端口及排气端口构成，具有百级洁净度、温度控制范围20℃～200℃，腔室温度均匀性优于±3℃，温度精度±0.5℃。所述的基板上下样系统包含转运小车和基板升降装置，所述的转运小车具有小角度调节基板倾斜功能，且紧邻基板靠近进风端一侧设有导流板，既能确保大口径样片安全地上下烘烤腔室工位，又能优化膜层烘烤工艺。本发明设备能够实现双向米量级尺寸、超厚基板的光刻胶膜烘烤工艺，在涂胶后光刻胶膜厚均匀性基础上进一步提升其膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN115437219A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210949541.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 清华大学
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种大口径基板表面光刻胶膜均匀烘烤设备，该设备主要包括烘烤系统、基板上下样系统及控制系统。所述的烘烤系统主要由循环风机、加热元件、高效过滤器、烘烤腔室、腔室密封圈、风向导流片、进风端口、回风端口和循环风道、气体输入端口及排气端口构成，具有百级洁净度、温度控制范围20℃～200℃，腔室温度均匀性优于±3℃，温度精度±0.5℃。所述的基板上下样系统包含转运小车和基板升降装置，所述的转运小车具有小角度调节基板倾斜功能，且紧邻基板靠近进风端一侧设有导流板，既能确保大口径样片安全地上下烘烤腔室工位，又能优化膜层烘烤工艺。本发明设备能够实现双向米量级尺寸、超厚基板的光刻胶膜烘烤工艺，在涂胶后光刻胶膜厚均匀性基础上进一步提升其膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN114879293A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210388807.1
申请日：2022-04-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 兼容大方位角、超400nm带宽大底宽小尖角金属脉冲压缩光栅，包括光栅参数优化设计和制备工艺。所述的光栅其底宽占比需大于0.6，形状因子为0.5～2.5，槽深为160～250nm，线密度为1300～1650g/mm。所述的制备工艺包括基底清洗、涂胶、烘烤、曝光、显影和金属膜镀制。本发明的宽带高效率光栅具有大底宽小尖角结构，在正负15或20°的大方位角内，TM偏振光以‑1级Littrow角入射时，光栅在超400nm带宽内效率超过90％。本发明的光栅及相关工艺参数可支撑数百拍瓦单周期脉冲压缩光栅储备。
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公开(公告)号：CN114689170A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210329674.0
申请日：2022-03-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种大拓扑荷值完美涡旋光的测量装置和方法，该装置包括激光器，沿该激光器的激光输出方向依次是扩束器、线偏振片、第一反射镜、第二反射镜、反射式纯相位液晶空间光调制器、平凸柱面镜、傅里叶透镜、光阑和CCD相机，所述的反射式纯相位液晶空间光调制器的控制端与第一PC控制端相连，所述的CCD相机的控制端与第二PC控制端相连，所述的CCD照相机置于所述的傅里叶透镜的焦平面，所述的平凸柱面镜位于反射式纯相位液晶空间光调制器和傅里叶透镜之间的任意位置。本发明可测量完美涡旋光的拓扑荷值范围较大，且可测量不同底角参数的完美涡旋光。本发明光路简洁，灵活性强，所述的平凸柱面镜的位置与角度皆可调，操作极为方便，可应用于大拓扑荷数完美涡旋光的检测。
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公开(公告)号：CN114488362A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210059779.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提出了一种双面增透微结构的蓝宝石窗口及其制备方法，包括蓝宝石基板层，其特征在于在该蓝宝石基板层上表面制备第一微结构阵列，在该蓝宝石基板层下表面制备第二微结构阵列或者第一光学薄膜，所述第一微结构阵列和第二微结构阵列为一维光栅结构，凹槽深度为140nm‑220nm，715nm‑920nm波长范围内的透过率在98％以上。本发明方法能够使窗口在耐腐蚀、耐高温且高稳定性的同时提高透过率。本发明能有效降低在蓝宝石上的制备难度以及刻蚀难度。
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