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公开(公告)号：CN106017383B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610455721.0
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种接触式台阶仪探针检测图形样块，涉及台阶仪测量技术领域，包括探针性能检查图形和扫描位置检查图形，探针性能检查图形设计成W型和M型分布在样块左右两个扫描区域，M型和W型台阶结构线条分别与水平方向呈30°、60°、90°、120°、150°五个角度，能对探针针尖十个位置进行性能检查，判断探针针尖是否有磨损或沾污；扫描位置检查图形设计为两个等腰直角三角形，斜边平行对向设置，并且每个等腰直角三角形的一个直角边与水平方向平行，在扫描位置检查图形两侧分别有T字线，用来指示探针针尖扫描位置和方向，可以判断样块放置是否水平以及探针扫描位置是否准确；可以及时校准探针，从而提高台阶仪的测量精度。
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公开(公告)号：CN107993956A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711223205.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例提供一种线距标准样片的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：将衬底进行第一预处理；在所述衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成多个不同周期尺寸的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；将所述衬底进行第二预处理；在所述衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成多个不同周期尺寸的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；在所述第二区域的上表面生长金属层。本发明能够通过一次加工工艺制作出满足多种测量仪器需求的线距标准样片，并且能够降低成本。
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公开(公告)号：CN111924798B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010711573.0
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片及其制备方法，该寻迹式线宽标准样片包括：依次设置的第一衬底样片、多层介质层和第二衬底样片；第一衬底样片的第一面上设置多个第一凹槽，每个第一凹槽内均具有与第一衬底样片的第一面齐平的第一填充介质；第一凹槽内未设置第一填充介质的部分为第一寻迹凹槽；第二衬底样片的第一面上设置多个第二凹槽，每个第二凹槽内均具有与第二衬底样片的第一面齐平的第二填充介质；第二凹槽内未设置第二填充介质的部分为第二寻迹凹槽。本发明通过多个第一寻迹凹槽和多个第二寻迹凹槽，便于寻找多层介质层中作为标准线条的一层，实现大倍率测量的关键设备的快速校准。
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公开(公告)号：CN111609800B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010449981.3
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供了一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型；使用修正后的光谱型椭偏仪对多层膜沉积工艺沉积的薄膜厚度进行测量并给出测量结果及测量不确定度。本发明提供的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，是基于多层膜沉积技术制备的线宽标准样片，在介质薄膜沉积工艺过程中，采用光谱型椭偏仪测量薄膜的厚量值，作为最终线宽标准样片的线宽量值，实现线宽量值的准确测量和确定。
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公开(公告)号：CN111128964B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911226284.5
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种纳米尺寸的线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明纳米尺寸的线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111652860A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010447868.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种格栅标准样片测量方法、装置及终端设备，该方法包括：基于预设间隔对格栅标准样片的平面区域进行划分，得到多个样片区域；获取多个样片区域的多个扫描图像，并对多个扫描图像进行图像拼接，得到样片图像；其中，多个扫描图像由关键尺寸扫描电镜系统对多个样片区域扫描得到；基于关键尺寸扫描电镜系统的透镜阵列建立笛卡尔坐标系，并基于样片图像确定格栅标准样片中第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标；基于第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标确定格栅标准样片的长度。本发明提供的格栅标准样片测量方法、装置及终端设备能够有效扩大关键尺寸扫描电镜的测量视场。
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公开(公告)号：CN111609800A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010449981.3
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供了一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型；使用修正后的光谱型椭偏仪对多层膜沉积工艺沉积的薄膜厚度进行测量并给出测量结果及测量不确定度。本发明提供的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，是基于多层膜沉积技术制备的线宽标准样片，在介质薄膜沉积工艺过程中，采用光谱型椭偏仪测量薄膜的厚量值，作为最终线宽标准样片的线宽量值，实现线宽量值的准确测量和确定。
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公开(公告)号：CN111573616A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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公开(公告)号：CN107993956B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201711223205.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例提供一种线距标准样片的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：将衬底进行第一预处理；在所述衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成多个不同周期尺寸的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；将所述衬底进行第二预处理；在所述衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成多个不同周期尺寸的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；在所述第二区域的上表面生长金属层。本发明能够通过一次加工工艺制作出满足多种测量仪器需求的线距标准样片，并且能够降低成本。
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公开(公告)号：CN108180879B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711243418.5
申请日：2017-11-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超薄二氧化硅薄膜样片的定值方法及制备方法。该定值方法包括：将衬底在清洗液中清洗；在清洗后的所述衬底的上表面生长厚度小于10纳米的二氧化硅薄膜；选取定值区域，在所述定值区域选取n个测量点；确定所述样片的厚度均匀性；确定所述样片的厚度稳定性；确定厚度测量装置引入的不确定度分量；根据所述不确定度分量、所述厚度均匀性和所述厚度稳定性确定所述样片的合成不确定度和扩展不确定度。本发明提供的样片可用于校准椭偏仪测量范围在10nm以下的测量能力。通过评价样片的厚度均匀性、厚度稳定性和不确定度，能够得知样片校准结果的可信度。
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