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公开(公告)号：CN109995304B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711476370.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN108122664A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810129632.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F29/04 , H01F38/00 , H02M3/335 , H02P13/06 , H02M1/00
Abstract: 一种同步整流管集成的匝比可调节矩阵变压器，适用于MHz开关频率下的半桥LLC谐振变换器，包括四个分立的变压器，每个变压器设有一个原边绕组以及一个与该原边绕组对称耦合的中心抽头副边绕组，四个分立的变压器的原边绕组之间串联，与各原边绕组对称耦合的中心抽头副边绕组之间并联，在每个原边绕组上都并联了一只原边绕组控制开关管，且每个原边绕组上集成了LLC谐振变换器中各自的谐振电感和励磁电感，在每个副边绕组上集成了各自的两个同步整流管和两个输出电容，同步整流管的工作模式受原边绕组控制开关管的影响，通过控制原边绕组控制开关管的开通与关断来改变原边绕组的有效匝数，进而调节原副边绕组的匝比。
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公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118538755A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310153162.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN112768517B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109995303B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201711473986.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098
Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN111953211A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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公开(公告)号：CN109995304A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711476370.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN118798104B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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公开(公告)号：CN118798104A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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