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公开(公告)号：CN114567190A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210199567.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同步整流控制器的相位补偿方法，包括：针对一典型同步整流控制电路，设置一采样回路，所述该采样回路包括：直流电压源VCC、补偿电阻Rc、二极管D1、补偿电感Lc；通过调整所述补偿电感Lc和所述补偿电阻Rc的时常数，使得其等于该典型同步整流控制电路中的寄生电感Ls和RDS的时常数，用以消除超前相位，其中，RDS为同步整流功率管的导通电阻。本发明提出的方法可以结合集成电路的设计，使得流过补偿电感的电流很小，对电感的要求不高，普通的贴片电感即可。
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公开(公告)号：CN114567189A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210199564.7
申请日：2022-03-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应同步整流控制电路以及控制方法，包括：快速开启模块，自适应关断模块，振荡屏蔽模块和驱动模块。快速开启模块的输入为同步整流功率管S1的漏源电压VDS，输出为开启控制信号SET_PRE；自适应关断模块的输入为同步整流功率管S1的漏源电压VDS，输出为关断控制信号RST_PRE；振荡屏蔽模块的输入是最小导通时间控制信号和最小关断时间控制信号，输入信号还有开启控制信号SET_PRE和关断控制信号RST_PRE，输出是无驱动能力的同步整流功率管S1控制信号Q；驱动模块的输入是无驱动能力的同步整流功率管S1控制信号Q，输出是有驱动能力的同步整流功率管S1控制信号VGS。
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公开(公告)号：CN114050187A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111417907.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低特征导通电阻的集成型沟槽栅功率半导体晶体管，包括：P型衬底，在衬底上方设有N型外延层，外延层内设有介质沟槽，沟槽横向一侧设有N型重掺杂的漏区并位于外延层表面，在漏区上连接有漏极金属电极，在沟槽的横向另一侧设有N型重掺杂的源区和P型重掺杂的体接触区，在源区和体接触区下方设有P型体区，源区和体接触区上连接有第一源极金属电极，在沟槽内填充有第一绝缘介质且位于沟槽的下方，沟槽内设有栅氧化层、多晶硅栅极和第二绝缘介质，所述栅氧化层位于栅极与源区之间，所述第二绝缘介质位于栅极与漏区之间且贴合在沟槽的内壁上，所述栅极在沟槽内偏置设置且靠近源区，在第一绝缘介质内设有多晶硅场板且位于栅极的下方。
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公开(公告)号：CN113764173A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111202503.3
申请日：2021-10-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成Y电容的平面变压器，涉及电磁兼容和磁性元器件设计领域。一次侧绕组与二次侧绕组交错排列，其寄生电容改善了二次侧整流二极管的噪声传导路径。辅助绕组一端与原边地相连，另一端悬空，与二次侧绕组形成集成Y电容(CY)，改善了一次侧开关管和二次侧整流二极管的噪声传导路径。本发明在保持完全交叉换位结构平面变压器低漏感、高效率优点的前提下，利用了一次侧绕组与二次侧绕组之间的寄生电容，使其成为了引导噪声的低阻抗路径，几乎消除了级间电容带来的不利影响，可以有效减小开关电源对外的传导噪声干扰。同时通过将Y电容集成，可以进一步减小开关电源的面积，有利于开关电源的小型化，提高了开关电源的功率密度。
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公开(公告)号：CN108231898B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201711343954.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689787B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
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公开(公告)号：CN107493095B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710674866.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/08 , H03K17/567 , H03K19/003
Abstract: 一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测，实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段，之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制，便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小，从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。
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公开(公告)号：CN107085132B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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公开(公告)号：CN108231898A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711343954.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。
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公开(公告)号：CN106959723A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710351210.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Vreg对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ICTAT产生电路、正温度系数电流IPTAT产生电路和非线性电流INL产生电路，非线性电流INL产生电路用于补偿负温度系数电流ICTAT产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ICTAT、IPTAT、INL并由电流‑电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Vref。
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