公开(公告)号：CN1956166A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN1395743A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803734.8

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。

公开(公告)号：CN113316840A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202080007254.X

申请日：2020-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉备和雄 ,  津田俊武 ,  铃木健二

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括孔形成工序、第一填埋工序、第二填埋工序以及蚀刻工序。在孔形成工序中，在层叠于基板上的绝缘膜的区域形成孔。在第一填埋工序中，在孔内将第一导电材料填埋到比构成孔的侧壁的高度低的位置。在第二填埋工序中，在填埋第一导电材料的孔内，通过选择性生长进一步填埋第二导电材料。在蚀刻工序中，通过对第二导电材料进行蚀刻而在孔的上方的位置形成接触垫。

公开(公告)号：CN101384749B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780005070.4

申请日：2007-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。

公开(公告)号：CN101065515B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580040912.0

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/16

Abstract: 本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300，)被配置为耦合到薄膜沉积系统(1、100)的处理室(10、110)，并且包括基座盘(330)以及一个或多个可堆叠上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(370、370’)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN100459148C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200580003156.4

申请日：2005-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  郑基市 ,  大久保和哉

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明提供一种包括半导体基板(1)、在该基板上形成的栅极绝缘膜(例如栅极氧化膜)(2)、和在该绝缘膜上形成的栅极电极(3)的半导体装置。栅极电极(3)具有金属化合物膜(3a)。该金属化合物膜(3a)通过使用含有金属羰基的原料(例如W(CO)6气体)、以及含有Si的气体和含有N的气体中的至少一种的CVD而形成。这样形成的金属化合物膜(3a)可利用其Si和/或N的含量来控制其功函数。