公开(公告)号：CN101496147A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028267.X

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low－k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。

公开(公告)号：CN101461042A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020384.1

申请日：2007-05-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3124 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 作为热处理装置的热处理单元(4)具有：腔室(42)，收容形成有低介电常数层间绝缘膜的晶片(W)；蚁酸供给机构(44)，向该腔室(42)内供给气相的蚁酸；和加热器(43)，在通过蚁酸供给机构(44)供给蚁酸后的腔室(42)内，对晶片(W)进行加热。

公开(公告)号：CN1305119C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1545724A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。