公开(公告)号：CN111850681A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910357352.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 沈伟民 ,  王刚 ,  黄瀚艺 ,  刘赟

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。

公开(公告)号：CN113257700A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110479251.2

申请日：2021-04-30

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  刘赟 ,  潘帅

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。

公开(公告)号：CN111850681B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201910357352.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 沈伟民 ,  王刚 ,  黄瀚艺 ,  刘赟

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。