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公开(公告)号：CN117595077A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311517087.5
申请日：2023-11-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种利用砷压调控砷化铟量子点发光波长的方法，该方法利用砷化铟量子点发光波长随砷压变化发生改变的规律，通过分析测得的砷压‑峰值发光波长曲线，从而得到生长目标发光波长砷化铟量子点样品所需要的砷压。本发明对在实际应用中调控量子点的发光波长具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN105826169B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610153371.2
申请日：2016-03-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列，然后生长GaSb缓冲层，然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列，从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡，获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配，不失为为Si基Ⅲ‑Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案，为Ⅲ‑Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。
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公开(公告)号：CN103715195B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310736928.1
申请日：2013-12-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/285 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。
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公开(公告)号：CN103701035B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310703155.7
申请日：2013-12-19
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/10
摘要： 本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构，利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。利用本发明的方法制备激光器前后腔面，可以在不需要解理衬底的条件下，形成高质量的激光器腔面。利用本发明可以制备特定条件下的激光器腔面，比如激光器衬底难以解理形成高质量解理面或者由于特定需要激光器衬底不能被解理。
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公开(公告)号：CN102583359B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210096785.8
申请日：2012-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/003
摘要： 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。
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公开(公告)号：CN104138637A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403289.1
申请日：2014-08-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： A61N5/067
摘要： 本发明提供一种小型可遥控的光感基因刺激装置及其控制方法，该装置包括中央处理单元、无线射频模块、开关驱动电路、数字电位器、自动功率控制电路、兴奋光源、光敏二极管、稳压模块及电源。无线射频模块接收外部指令并传送给中央处理单元，开关驱动电路实现兴奋光源的导通与断开形成光脉冲；数字电位器改变光敏二极管的静态工作电流从而控制兴奋光源的初始功率；光敏二极管接收兴奋光源输出光并转换为光电流反馈给自动功率控制电路对出光功率进行反馈调节以实现稳定输出。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，适用于光感基因实验，填补了光基因领域内穿戴式光感基因刺激装置的空白，具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN103830847A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： A61N5/067
摘要： 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN102627274B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
摘要： 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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