公开(公告)号：CN105826169B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201610153371.2

申请日：2016-03-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王朋 ,  龚谦 ,  曹春芳 ,  丁彤彤

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列，然后生长GaSb缓冲层，然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列，从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡，获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配，不失为为Si基Ⅲ‑Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案，为Ⅲ‑Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。

公开(公告)号：CN104810454A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510240317.7

申请日：2015-05-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王庶民 ,  潘文武 ,  李耀耀 ,  王朋 ,  王凯 ,  吴晓燕 ,  崔健

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0062

Abstract: 本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi和Ga的元素百分含量分别为1.6％和2.3％时，该材料室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.4～2.7μm，半峰宽达到600nm，同时在Ga元素的补偿作用下，其晶格常数与InP衬底接近匹配。本发明报道的InGaPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InGaPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。

公开(公告)号：CN105632965B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201610171321.7

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 龚谦 ,  王朋 ,  曹春芳 ,  丁彤彤

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得到As原子在生长过程中的最高结合率。所述测量方法特征在于通过开关但不限于第二个Ga源快门富Ga或富As表面交替出现，且用RHEED方法进行测量，且最终结果不涉及到实际的原子总量，所以与束流规最终直接测到的Ga和As的束流值相关。本发明对于利用MBE制备材料，特别是迁移率增强外延生长(MEE)模式有重要的意义。

公开(公告)号：CN105826169A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610153371.2

申请日：2016-03-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王朋 ,  龚谦 ,  曹春芳 ,  丁彤彤

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列，然后生长GaSb缓冲层，然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列，从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡，获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配，不失为为Si基Ⅲ?Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案，为Ⅲ?Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。

公开(公告)号：CN105632965A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610171321.7

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 龚谦 ,  王朋 ,  曹春芳 ,  丁彤彤

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/32

Abstract: 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得到As原子在生长过程中的最高结合率。所述测量方法特征在于通过开关但不限于第二个Ga源快门富Ga或富As表面交替出现，且用RHEED方法进行测量，且最终结果不涉及到实际的原子总量，所以与束流规最终直接测到的Ga和As的束流值相关。本发明对于利用MBE制备材料，特别是迁移率增强外延生长(MEE)模式有重要的意义。