公开(公告)号：CN117595077A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311517087.5

申请日：2023-11-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘若涛 ,  龚谦 ,  张韵雯 ,  王坤 ,  吴健初

IPC: H01S5/343 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种利用砷压调控砷化铟量子点发光波长的方法，该方法利用砷化铟量子点发光波长随砷压变化发生改变的规律，通过分析测得的砷压‑峰值发光波长曲线，从而得到生长目标发光波长砷化铟量子点样品所需要的砷压。本发明对在实际应用中调控量子点的发光波长具有重要的意义。

公开(公告)号：CN119290934A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411401002.1

申请日：2024-10-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨晨 ,  龚谦 ,  刘若涛 ,  王坤 ,  张韵雯

IPC: G01N23/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种基于卷积神经网络的RHEED衍射图样分析方法，包括以下步骤：实时获取待测样品旋转到设定角度时所述待测样品表面状态的RHEED衍射图样及生长温度；利用卷积神经网络分析所述RHEED衍射图样，获得当前所述生长温度下所述待测样品的再构类型；改变所述生长温度并重复以上步骤，获得多个不同所述生长温度下所述待测样品的再构类型，进而获得所述生长温度和所述待测样品的再构类型的对应关系。本发明能够对RHEED衍射图样进行高效迅速的分析，并准确识别出材料表面的再构类型，进而建立生长温度与再构类型的对应关系。同时，通过观测材料表面再构类型发生改变获得最佳生长温度，能够提高半导体外延生长温度的精确度。

公开(公告)号：CN117518226A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311337911.9

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张韵雯 ,  龚谦 ,  刘若涛 ,  王坤 ,  吴健初

IPC: G01T1/29 ,  C30B25/16 ,  C30B29/42

Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定砷源炉束流大小的方法，包括：(1)测得不同砷阀门大小下的束流值；(2)使用不同的砷束流，测试砷化镓衬底表面发生再构转变现象时的温度，建立砷的束流与再构转变温度的关系曲线；(3)根据再构转变的温度确定砷的束流值。本发明可以精确获得分子束外延中砷束流的准确值，对于分子束外延尤其是需要两个V族源的合金生长具有重要的实际应用价值。

公开(公告)号：CN117587503A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311490778.0

申请日：2023-11-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王坤 ,  龚谦 ,  刘若涛 ,  吴健初 ,  张韵雯

IPC: C30B23/02 ,  G01K13/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底温度的方法，本发明可以精确掌控分子束外延中的衬底温度，在样品架热偶失效的情况下也可以对衬底实际温度进行测量，对于分子束外延尤其是生长温度区间较窄的材料具有重要的实际应用价值。