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公开(公告)号：CN109786510A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910180996.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106953234A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710078430.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
CPC classification number: H01S5/323 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。
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公开(公告)号：CN103830847B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN104062575B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105632965A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610171321.7
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得到As原子在生长过程中的最高结合率。所述测量方法特征在于通过开关但不限于第二个Ga源快门富Ga或富As表面交替出现，且用RHEED方法进行测量，且最终结果不涉及到实际的原子总量，所以与束流规最终直接测到的Ga和As的束流值相关。本发明对于利用MBE制备材料，特别是迁移率增强外延生长(MEE)模式有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102627274A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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公开(公告)号：CN102583359A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210096785.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/003
Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。
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公开(公告)号：CN101311298B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810035437.3
申请日：2008-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中原位测量束源炉中源材料质量的便捷方法，其特征在于具体步骤是：测量出束源炉升温时的时间─功率曲线；测量出束源炉降温时的时间─功率曲线；根据时间─功率曲线上的波动计算源炉中源材料发生相变时吸收或放出的热量值；根据源材料发生相变时吸收或放出的热量值以及源材料的相变热(熔化热)计算出源材料的质量。本发明利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中时间─功率曲线会出现相应波动的实验现象，通过分析计算时间─功率曲线波动对应的输入热量(能量)差值，从而得到束源炉坩埚中源材料的质量。本发明提供的测量方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN206931836U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720132168.7
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
Abstract: 本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III-V族材料，控制Ge厚度和III-V族材料的厚度，使得III-V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本实用新型利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III-V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III-V族材料的厚度，实现III-V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III-V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III-V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本实用新型可提高激光器的热扩散性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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