公开(公告)号：CN108330542A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810106289.3

申请日：2018-02-02

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  向迪 ,  王洪超 ,  徐家跃 ,  罗宽宽 ,  袁军平 ,  李星亮

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

Abstract: 一种溴硅酸铅晶体，分子式为Pb4[SiO4]Br4，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为β＝92.295(2)°。还提供了上述溴硅酸铅晶体的制备方法，将氧化硅，溴化铅和氧化铅固相合成得到溴硅酸铅多晶料；将溴硅酸铅多晶料采用坩埚下降法在富溴化铅体系中生长，生长参数为：生长炉温设定500～590℃，固液界面温度梯度保持25～50℃/cm，生长速率0.2～0.6mm/h，降温速率10～30℃/h，得到溴硅酸铅晶体。本发明减少溴化铅挥发，极大提高了溴硅酸铅单晶的成品率。

公开(公告)号：CN119571434A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411705232.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  房永征

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/24

Abstract: 本发明涉及一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。本发明以Na2B4O7‑金属氟化物作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，Na2B4O7与金属氟化物的摩尔比为1～0.8：0.05～0.2，晶体生长温度区间为680～1150℃。与现有技术相比，本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的PbO、PbSO4等有毒、有害成份，有效的降低了助熔剂对坩埚的腐蚀，能够大幅度降低β‑Ga2O3晶体的饱和点温度，助熔剂体系黏度低，体系组分挥发少，有利于传质传热，提高了晶体生长的速度与质量，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。

公开(公告)号：CN114214720B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202111535091.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  房永征 ,  王占勇 ,  徐家跃 ,  龚震 ,  刘家文

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。

公开(公告)号：CN114958371A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210499285.2

申请日：2022-05-09

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 田甜 ,  毛城玲 ,  刘伟 ,  李泽芬 ,  龚震 ,  张彦 ,  徐家跃

IPC: C09K11/78

Abstract: 本发明公开了一种Gd(III)、Eu(III)双掺杂的红色荧光材料及其制备方法。本发明的红色荧光材料的化学式为GdxIn2‑x(MoO4)3:Eu3+(0

公开(公告)号：CN112048299B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202011057552.8

申请日：2020-09-30

Applicant: 上海应用技术大学 ,  江苏科创车联网产业研究院有限公司

Inventor： 田甜 ,  刘伟 ,  张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  刘干

IPC: C09K11/79 ,  C01B35/12

Abstract: 本发明公开了一种Ce3+掺杂的白光LED荧光材料及其制备方法。所述白光LED荧光材料的化学通式为Ca3(Tb7)1‑x(BO4)(SiO4)5O:xCe3+，其中，0

公开(公告)号：CN114373864A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111633103.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张灿云 ,  任恩亮 ,  刘亚楠 ,  王凤超 ,  陈进 ,  孔晋芳 ,  李澜 ,  张彦

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：首先将一定量的PbI2粉末和PEAI粉末按比例依次加入到溶剂中，室温下在烧杯中搅拌，使其充分溶解，制得(PEA)2PbI4钙钛矿前驱体溶液；然后将制备好的(PEA)2PbI4前驱体溶液滴加在清洗干净的薄膜基底上，使用旋涂法将钙钛矿前驱体溶液均匀涂敷在基底上，自然干燥后即得到(PEA)2PbI4钙钛矿薄膜。本发明制备的(PEA)2PbI4钙钛矿薄膜具有结晶质量高、晶粒尺寸大、缺陷密度低的特点，该钙钛矿薄膜可用于光电显示、太阳能电池、光电探测器等领域。

公开(公告)号：CN113501993A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110793571.5

申请日：2021-07-14

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 王凤超 ,  董恒星 ,  王陈飞 ,  陈进 ,  张灿云 ,  孔晋芳 ,  李澜 ,  胡蓉蓉 ,  张彦

IPC: C08J7/06 ,  C08L67/02 ,  C08L23/06 ,  C09D1/00 ,  C09D5/22 ,  C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，制备方法包括：首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液与甲苯混合，得到钙钛矿量子点溶液；最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆，干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比，本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术，成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X＝Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料，该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能，还具有操作简单、成本低等优点，且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大，使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。

公开(公告)号：CN112920801A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110175845.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海应用技术大学 ,  上海敬开德精密陶瓷有限公司

Inventor： 张彦 ,  龚震 ,  王占勇 ,  徐家跃 ,  刘家文 ,  黄礼武 ,  单伟毅

IPC: C09K11/86

Abstract: 本发明公开了一种红光荧光粉材料及其制备方法。所述红光荧光粉材料具有磷灰石结构，其化学通式为Sr3‑yMyY7‑7xEu7x(BO4)(SiO4)m(GeO4)nF2。制备方法为：按照化学式称取原料，将原料在玛瑙研钵中充分研磨均匀，获得反应前驱体；将反应前驱体烧结，得到预烧产物；将预烧产物在玛瑙研钵中再次研磨，然后进行固相反应。本发明通过采用Mg，Ca，Ba替换部分或全部Sr，以及采用Ge替换部分或全部Si，从而影响发光中心Eu3+离子的晶体场，进而能够调节红色荧光粉的光色性能，并提高红色荧光粉的光色性能。

公开(公告)号：CN112410879A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011178467.7

申请日：2020-10-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  田甜 ,  袁军平 ,  罗宽宽

IPC: C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  C30B7/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种掺钬的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体的结构为双钙钛矿结构，属于立方晶系，晶体的组成表达式为A2MⅠMⅢX6：xHo；其中，A为一价阳离子，MⅠ为一价阳离子，MⅢ为三价阳离子，X为卤素阴离子，并且0

公开(公告)号：CN108384542B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810107070.5

申请日：2018-02-02

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  王洪超 ,  杜逸 ,  徐家跃 ,  向迪 ,  施赛楠 ,  马文昊 ,  伍超宇 ,  李星亮

IPC: C09K11/67

Abstract: 本发明提供了一种红色荧光材料，其化学式为Ca2AlNbO6:Mn4+，发光中心为非稀土激活剂Mn4+。提供了上述红色荧光材料的制备方法，按元素摩尔比称取原料，进行高温固相反应，通过加入合适的助熔剂控制固相合成温度，通过引入适量的电荷补偿剂，在保证样品的纯相范围内，进一步改善该钙钛矿结构铌铝酸盐红色荧光材料发光性能，最终获得高效、稳定的红色荧光粉。本发明以钙钛矿结构铌铝酸盐为基质，以Mn4+为激活剂，不使用昂贵的稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，该荧光粉对紫外、蓝光波段的激发光有强的吸收，发射带宽适宜的红色光波，适合应用于紫外或蓝光LED芯片激发的暖白光LED器照明和显示领域。