公开(公告)号：CN1213474C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01135723.1

申请日：2001-09-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高田忠良 ,  北村修 ,  大川重明 ,  畑博嗣 ,  藤沼近雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/76297 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明在NPN晶体管和纵型PNP晶体管的介质隔离型的互补型双极型晶体管中提供实现晶体管的高耐压化用的一种半导体集成电路装置的制造方法。在形成本发明的半导体集成电路装置的集电区和集电极引出区时，在每个外延层中同时形成集电区的埋入层和集电极引出区的埋入层。然后，使各自的埋入层扩散并使其连接，刻蚀成V槽型。由此，同时形成已被厚膜化的集电区和集电极引出区，实现了高耐压化的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN1189061C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN00128754.0

申请日：2000-09-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R7/16 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动，同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12，在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出，电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。

公开(公告)号：CN1361552A

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN01133842.3

申请日：2001-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明的目的是在内装适用于输出晶体管保护的消弧二极管的半导体集成电路装置中对使二极管元件截止时的耐压大幅度地提高的二极管元件进行高效率的集成化。在该半导体集成电路装置中,通过使形成为正极区域的P+型第1埋入层35和形成为负极区域的N+型扩散区域41在深度方向上隔开形成,当在二极管元件21上施加了反向偏置电压时,可以在由PN结的第1和第2外延层25、26构成的N型区域上得到宽幅的过渡层形成区域并由所形成的该过渡层确保耐压,从而能够抑制由击穿电流造成的内部元件损坏。