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公开(公告)号：CN103467489A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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公开(公告)号：CN1891732B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2-30杂芳族结构的噻吩-亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN1825651A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1734350A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510098086.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/052 , C08L63/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , H01L51/0052 , C08L2666/02
Abstract: 在此公开了一种用于形成有机绝缘膜的光构图组合物，其中包含：(i)一种含有功能基的单体；(ii)一种在光照下产生酸或自由基的引发剂和(iii)一种有机或无机聚合物。更进一步公开了使用该组合物形成有机绝缘膜图案的方法。根据本发明，由于有机绝缘膜无需任何光致抗蚀剂处理就能简单地构图，故简化了整体的工序，最终能够通过全湿工艺制得具有高电荷迁移率的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109422778B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811031517.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，基团和变量与在说明书中描述的相同。式1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115466616A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210656227.6
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供组合物、包括该组合物的层、包括该组合物的发光器件、和包括该发光器件的电子设备。所述组合物包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，其中L11、L12、L13、L21、L22和L23各自为：i)经由两个氮原子键合至式1或2的Ir的双齿配体，ii)经由氮原子和碳原子键合至式1或2的Ir的双齿配体，或iii)经由两个碳原子键合至式1或2的Ir的双齿配体，L11、L12和L13彼此不同；n11、n12、n21和n22各自独立地为1或2；n13和n23各自独立地为0或1；n11、n12和n13之和为3；n21、n22和n23之和为3；且L11和L21彼此不同。式1Ir(L11)n11(L12)n12(L13)n13式2Ir(L21)n21(L22)n22(L23)n23。
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公开(公告)号：CN114478646A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111239323.2
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M为过渡金属，X1‑X4各自独立地为C或N，X5为O、S、N(R')、C(R')(R")、或C(＝O)，其中在X5和M之间的键为共价键，在X2和M之间的键、在X3和M之间的键、以及在X4和M之间的键之一为共价键，并且在X2和M之间的键、在X3和M之间的键、以及在X4和M之间的键中的两个各自为配位键，环CY1至环CY4各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，并且其中T1‑T4、n1‑n4、Z1‑Z4、d1‑d4、L1‑L4、R1‑R4、R'和R"、a1‑a4、b1‑b4、和c1‑c4如本文中所提供的。式1
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公开(公告)号：CN101799628B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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