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公开(公告)号：CN102832337A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210113464.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。
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公开(公告)号：CN102568582A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110390449.X
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C2013/0073
Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。
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公开(公告)号：CN102298970A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN101714870A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN101328409A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810131709.X
申请日：2008-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/08 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: C09K13/06 , H01L21/467 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物类TFT及制造方法、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法。具体地讲，提供了一种锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管，该锌氧化物类薄膜晶体管可包括栅极、处于栅极上的栅极绝缘层、包含锌氧化物且可处于栅极绝缘层的一部分上的沟道，以及与沟道的各侧面接触的源极和漏极。锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管还可包括处于源极与漏极之间的沟道中的凹槽，可利用锌氧化物类蚀刻剂来形成该凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101226963A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710300799.6
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0688 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。
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公开(公告)号：CN102655159B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210046691.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种大型X射线探测器，该X射线探测器包括：在印刷电路板上的多个芯片，所述多个芯片中的每个芯片包括在所述印刷电路板的中央部分上的多个像素焊盘和围绕所述多个像素焊盘的多个引脚焊盘；布置在所述多个芯片上且与所述多个芯片相应的多个像素电极；电连接所述多个像素电极和所述多个像素焊盘的再分配层；在一表面上的多个第一电极焊盘，所述表面与所述多个芯片的包括所述多个引脚焊盘的表面相反；电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚焊盘的布线；形成在所述多个像素电极上的光电导体；以及形成在所述光电导体上的公共电极。
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公开(公告)号：CN101630692B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN200910140008.7
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。
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公开(公告)号：CN101527318B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN103022066A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210349575.5
申请日：2012-09-19
IPC: H01L27/146 , H04N5/32
Abstract: 根据示例实施例，一种图像传感器包括被配置为放大由感测单元感测到的电荷的电荷感测放大器。所述电荷感测放大器包括输入端、放大端、输出端、连接在输入端和放大端之间的第一电容器、连接在输入端和放大端之间的第一开关、连接在放大端和输出端之间的第二电容器、以及连接在输出端和参考电压端之间的第二开关。
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