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公开(公告)号：CN102707831B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210066426.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金镇汉 , 李永燮 , 郑锡洪 , 李明燮 , 吴京锡 , 禹程薰 , 李东彻 , 林钟贤 , 张盛一 , 赵龙九 , 高炯准 , 金敬勋 , 金廷垠 , 金贤范 , 卢大彬 , 朴宰莹 , 白银珍 , 李忠熙 , 郑性皓 , 赵在旭
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明涉及触摸板和具有该触摸板的触摸屏。此处提供一种电容型触摸板。该电容型触摸板可以包括第一透明基板、位于第一透明基板上的第一导电层、具有通过间隔件从第一导电层隔开的第二导电层的传感器层以及位于传感器层上的第二透明基板。第一导电层和第二导电层可以是透明的。
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公开(公告)号：CN101859778B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010163558.3
申请日：2010-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11565 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括：单元阵列，具有三维地布置在半导体基板上的线状的多个导电图案，单元阵列彼此分离；半导体图案，从半导体基板延伸以与导电图案的侧壁交叉；公共源极区，沿导电图案延伸的方向设置在半导体图案下部分之下的半导体基板中；第一杂质区，设置在半导体基板中，使得第一杂质区沿与导电图案交叉的方向延伸以电连接公共源极区；以及第一接触孔，暴露第一杂质区的在分离的单元阵列之间的部分。
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公开(公告)号：CN1132232C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN96113405.4
申请日：1996-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。
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公开(公告)号：CN113366728A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980090813.5
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。所述电子装置包括：外壳；布置在所述外壳内的第一电池和第二电池；电力管理模块；第一温度传感器；第二温度传感器；第一限流集成电路(IC)，被配置为限制流入所述第一电池中的第一电流的最大强度；第二限流IC，被配置为限制流入所述第二电池中的第二电流的最大强度；以及处理器。所述处理器可以确定所述第一温度或所述第二温度是否在指定温度范围之外，并且当所述第一温度在所述指定温度范围之外时，控制所述第一限流IC减小所述第一电流的量值。
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公开(公告)号：CN111049211A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910978021.3
申请日：2019-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据各种实施例，一种电子设备包括电池、无线接口和至少一个处理器，该无线接口包括线圈并被配置为经由线圈从电池无线发送电力，该至少一个处理器被配置为：在电子设备和外部设备都不经由电线从外部电源被供应电力时，执行经由无线接口向外部设备无线发送电力的无线充电功能，并且基于在执行无线充电功能时识别出外部设备开始经由电线从外部电源被供应电力，停止执行向外部设备无线发送电力的无线充电功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828427A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910312015.4
申请日：2019-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于电阻器区域中的多个下图案以及位于多个下图案上且位于电阻器区域中的衬底上的电阻器线图案。多个下图案在与衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向垂直且与衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。电阻器线图案在第二方向上延伸。位于下图案上的电阻器线图案具有在与衬底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN106486460B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610726103.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体器件。该半导体器件包括形成在基板上的彼此间隔开的多个线图案，所述多个线图案具有第一宽度并在第一方向上平行于彼此延伸。所述多个线图案中的第一线图案可以包括在垂直于第一方向的第二方向上具有第二宽度的更宽部分，该第二宽度大于第一宽度。一个或多个第二线图案可以邻近于第一线图案定位并包括关于第一线图案的更宽部分共形地形成的共形部分。一个或多个第三线图案可以邻近于第二线图案定位并包括靠近一个或多个第二线图案的共形部分的端部。
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公开(公告)号：CN107768376A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710316294.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/28 , H01L23/5283 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/7827 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元阵列区、字线接触区和外围电路区；栅电极，在单元阵列区和字线接触区中与基底平行，所述栅电极堆叠在垂直于基底的方向上并在所述垂直于基底的方向上间隔开；沟道结构，穿过单元阵列区中的栅电极，所述沟道结构电连接到基底；虚设沟道结构，穿过字线接触区中的栅电极，所述虚设沟道结构与基底间隔开；导线，平行于基底并电连接到第一栅电极，所述导线与虚设沟道结构的在竖直方向上的延伸部的至少一部分交叉。
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公开(公告)号：CN107085507A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710033362.4
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/385 , G06F13/364 , G06F13/4022 , G06F13/4027 , G06F13/4282 , G09G5/006 , G09G2370/04 , H04N21/4122 , G06F3/1454 , G06F13/4063 , G06F2213/0042 , H04M1/72527
Abstract: 电子装置包括连接器、与连接器连接的第一通信电路、与连接器连接的第二通信电路以及处理器。处理器配置为校验与通过连接器与电子装置连接的外部电子装置相对应的识别信息，如果外部电子装置是第一类型的电子装置，则基于识别信息通过第一通信电路和第二通信电路从外部电子装置接收数据或者向外部电子装置发送数据，以及如果外部电子装置是第二类型的电子装置，则基于识别信息通过第一通信电路从外部电子装置接收数据或者向外部电子装置发送数据。
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公开(公告)号：CN102681723B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210034937.1
申请日：2012-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金镇汉 , 李永燮 , 郑锡洪 , 李明燮 , 吴京锡 , 禹程薰 , 李东彻 , 林钟贤 , 张盛一 , 赵龙九 , 高炯准 , 金敬勋 , 金廷垠 , 金贤范 , 卢大彬 , 朴宰莹 , 白银珍 , 李忠熙 , 郑性皓 , 赵在旭
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供了一种触摸屏幕，其包括第一传感器层以及第二传感器层。所述第一传感器层与所述第二传感器层形成用于识别所述触摸屏幕上的触摸位置的传感器。
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