公开(公告)号：CN118335771A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311554518.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  杨智恩 ,  金尚昱 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 公开了一种半导体器件、制造其的方法和各自包括该半导体器件的电子元件和电子装置。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的沟道层、分别在沟道层的两个相反端上并彼此间隔开的第一电极和第二电极、在沟道层上并与第一电极和第二电极间隔开的栅电极、提供在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘材料、以及硫族化合物层，硫族化合物层在栅极绝缘材料和沟道层之间、第一电极和沟道层之间以及第二电极和沟道层之间中的至少之一。

公开(公告)号：CN109307983B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108241262B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN116266530A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211410901.9

申请日：2022-11-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  卞卿溵 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  金炯俊

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。

公开(公告)号：CN114141863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111038495.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  李珉贤 ,  权俊荣 ,  申铉振 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种场效应晶体管和制造其的方法。该场效应晶体管包括在衬底上的源电极、与源电极分隔开的漏电极、连接在源电极和漏电极之间的沟道、栅绝缘层、以及栅电极。当在第一截面中看时，沟道可以具有中空闭合的截面结构，第一截面由在垂直于衬底的方向上跨过源电极和漏电极的平面形成。栅绝缘层可以在沟道中。栅电极可以通过栅绝缘层与源电极和漏电极绝缘。

公开(公告)号：CN113497138A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011501211.5

申请日：2020-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。

公开(公告)号：CN113224144A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535102.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体器件，其使用二维半导体材料作为沟道层。该半导体器件包括：在衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极电介质；在栅极电介质上的沟道层；以及源电极和漏电极，可以电连接到沟道层。栅电极具有高度大于宽度的形状，并且沟道层包括二维半导体材料。

公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。