公开(公告)号：CN100454549C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410057456.8

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  韩政男

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  Y10S438/978

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。

公开(公告)号：CN101236931A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008637.X

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  李梦燮 ,  车知勋 ,  洪昌基 ,  李根泽

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。

公开(公告)号：CN1941310A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139968.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐永 ,  洪昌基 ,  尹普彦 ,  朴俊相

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。所述方法还包括：使用第一和第二掩模刻蚀由开口区所暴露的绝缘层部分以形成多个开口孔；除去第二刻蚀掩模；形成填充开口孔的导电层以覆盖残留的第一刻蚀掩模；以及将覆盖层用作为抛光终点在导电层上执行化学机械抛光工艺以除去第一刻蚀掩模，从而形成多个彼此分离的、填充开口孔的SAC焊盘。

公开(公告)号：CN1637102A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101122.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在光 ,  李在东 ,  洪昌基

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

公开(公告)号：CN1177370C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN00135548.1

申请日：2000-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金坰显 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  金凡洙 ,  申有哲 ,  朴奎灿

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区，用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。