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公开(公告)号：CN1196137C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN01108884.2
申请日：2001-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永宅
Abstract: 具有屏蔽位线结构的NAND EEPROM减小由充电或放电位线产生的电源电压和地噪声。该EEPROM具有连接于虚拟电源节点的PMOS上拉式晶体管和NMOS下拉式晶体管。用于充电和放电位线的控制电路控制该PMOS或NMOS晶体管的栅极电压以当经由该虚拟电源节点充电或放电位线时限制峰值电流。一个这种控制电路产生电流映射或施加参考电压以控制栅极电压。一种编程方法，在位于编程电路中的锁存器根据正被存储的各个数据位充电或放电所选择的位线的同时，通过经由具有受控制的栅极电压的PMOS上拉式晶体管预充电未选择的位线。该编程电路中的NMOS晶体管的栅极电压可以被控制以减小由经过该锁存器放电所选择的位线产生的噪声。
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公开(公告)号：CN110808077B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201810885518.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和一种操作其的方法。所述非易失性存储器装置具有多个块，所述多个块由多个存储器串形成，在存储器串中，多个存储器单元串联连接，其中，在擦除存储器单元之后执行编程操作。所述方法实质上包括下述步骤：以块为单位擦除保存在存储器单元中的数据；以块为单位将软编程电压施加到与被擦除的存储器单元结合的字线。所述方法在擦除周期之后改善阈值电压轮廓，从而可以在后续编程操作中使编程应力最小化。
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公开(公告)号：CN108735247A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710243378.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/145
Abstract: 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
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公开(公告)号：CN107958680A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710560786.6
申请日：2017-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C16/14
Abstract: 提供了存储器装置的边缘字线管理方法及操作存储器装置的方法。所述边缘字线管理方法包括：响应于擦除命令对存储器装置执行擦除操作，随机确定虚设样式的数据，并且通过在虚设存储器单元中写入虚设样式的数据来执行后编程操作，其中，虚设存储器单元与包括在已执行擦除操作的存储器块中的单元串的主存储器单元相邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105632552A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
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公开(公告)号：CN105551519A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510702204.4
申请日：2015-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0088
Abstract: 本申请公开了存储设备、存储系统以及操作存储设备的方法。操作具有多个字线和多个位线的电阻式存储设备的方法包括选择连接到第一位线的一个或多个第一存储单元，选择连接到第二位线的一个或多个第二存储单元，并且使用第一写驱动器对第一和第二存储单元同时执行复位写操作。
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公开(公告)号：CN105280221A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN101521042B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910008372.8
申请日：2009-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种用于对非易失性存储设备进行编程的方法。所述方法包括：将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的对应字线；将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压不同于第一编程脉冲的电压；以及将电压施加到连接到字线的每条位线，所述施加到每条位线的电压根据将要编程到对应存储单元的多个比特值、并响应于第一编程脉冲或者第二编程脉冲而彼此不同。
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公开(公告)号：CN101419835B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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