半导体器件及其制造方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114597205A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202111376489.9

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括在基板上的有源图案、在有源图案上的源极/漏极图案、在每个源极/漏极图案的侧表面上的围栏间隔物、插设在源极/漏极图案之间的沟道图案、与沟道图案交叉并在第一方向上延伸的栅电极、以及在栅电极的侧表面上的栅极间隔物。围栏间隔物的上部的在第一方向上的第一厚度可以大于栅极间隔物的在与第一方向交叉的第二方向上的第二厚度。

    磁带记录仪的磁头鼓组件
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1243353C

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200310101062.3

    申请日:2003-10-13

    Abstract: 一种用于诸如数字摄像机之类的小型便携式摄像录音一体机的磁头鼓组件,包括:磁鼓罩、静止鼓、转动鼓、辅助电路板、静止变送器、转动变送器、电机定子和电机转子。磁鼓罩由导电材料制成,并且压配合在轴上,而连接部件设置在磁鼓罩的导电主体上,以支撑辅助电路板并将辅助电路板与导电主体电连接,而且所述连接部件是紧固到结合孔的螺钉,所述结合孔分别形成在磁鼓罩和辅助电路板中,以相互对应。不再需要用于磁头鼓组件的绝缘磁鼓罩的导电刷部件和接地板,因此整体结构简单。由于减少了部件的数量和制作步骤,因此降低了制作成本,提高了生产率。

    用于磁带记录器中磁带端头检测传感器的供电装置

    公开(公告)号:CN1492414A

    公开(公告)日:2004-04-28

    申请号:CN03158417.9

    申请日:2003-09-09

    CPC classification number: G11B15/08 G11B25/063 G11B33/02 Y10T29/49002

    Abstract: 一种为磁带记录器设置的、用于磁带端头检测传感器的供电装置。该供电装置包括:卷轴盖,设置在副构架上,且在其上安装有磁带端头检测传感器,用于检测磁带上磁性部分末端的通过;第一输电构件,安装在卷轴盖上,并具有与检测传感器相连的第一接触部分;第二输电构件,设置在副构架上,并具有第二接触部分,当卷轴盖被安装到副构架上时,第二接触部分与第一接触部分发生接触。供电装置还包括弹性加压构件,该构件与副构架一体制成,用于将第二接触部分弹性地压向第一接触部分,以增大第一、第二接触部分之间的接触力。因而,无需采用单独的弹性加压构件就可提高第一、第二接触部分之间的接触力,从而能减少制造步骤,并降低制造成本。

    磁带录制机的框架装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1036427C

    公开(公告)日:1997-11-12

    申请号:CN93112831.5

    申请日:1993-12-17

    Inventor: 崔道永 徐在甲

    CPC classification number: G11B15/67565

    Abstract: 一种磁带录制机的框架装置,用于在沿某一路径输送的磁带上录制或重放信号。它包括有,具有行走系统的主走带机构;一以铰链方式与主走带机构一侧连接的杠杆架;一通过杠杆架在主走带机构上上下垂直移动的框架及一在框架上水平运动的带盒座。在杠杆架来回转动时,框架上的侧齿轮与杠杆架上的齿条啮合,框架上的带盒座通过与侧齿轮相连的离合器滑动,进行装载和弹出盒式磁带。这样,不需单独的电机或结构就可平稳协调地完成操作。

    用于磁记录和重放装置的磁带倒带装置

    公开(公告)号:CN1087741A

    公开(公告)日:1994-06-08

    申请号:CN93117795.2

    申请日:1993-08-04

    CPC classification number: G11B15/43 G11B15/615 G11B15/675

    Abstract: 本发明公开了一种用于磁记录和重放装置的倒带装置。当盒带装入并且记录或重放,在机芯中的磁带变得松弛。本发明的倒带装置,在盒带退出期间,自动地恢复磁带的松弛部分。为此,滑块具有多个齿轮组成的磁带恢复装置,该恢复装置与齿条啮合。在盒带退出期间,通过和齿条(轮)啮合使齿轮旋转,旋转齿轮使供带盘旋转,从而倒绕该松弛的磁带。

    堆叠式集成电路器件
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118486691A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410172884.2

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 一种堆叠式集成电路器件,包括:下有源区;下栅极图案,围绕下有源区;下介电层,在下有源区与下栅极图案之间;中间绝缘层,在下有源区上;上有源区,在中间绝缘层上;上栅极图案,围绕上有源区并且覆盖下栅极图案;以及上介电层,在上有源区与上栅极图案之间,其中,下栅极图案的上表面在竖直方向上位于比中间绝缘层的上表面低的位置,并且下栅极图案围绕中间绝缘层的侧表面的至少一部分。

    半导体器件
    39.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117995879A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311089645.2

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 一种半导体器件包括:在衬底上并且在第一水平方向上延伸的有源图案;在有源图案上并且在第二水平方向上延伸的栅电极;在有源图案上的源极/漏极区;与下源极/漏极区间隔开的上源极/漏极区;在上源极/漏极区与下源极/漏极区之间并且连接到下源极/漏极区的下源极/漏极接触;连接到上源极/漏极区的上源极/漏极接触;围绕上源极/漏极区的层间绝缘层;在垂直方向上延伸穿过层间绝缘层的贯通通路,该贯通通路在第二水平方向上与上源极/漏极区和上源极/漏极接触间隔开,该贯通通路连接到下源极/漏极接触;以及在上源极/漏极区的水平方向上的相对侧壁中的每一者上的坝结构。

    半导体器件
    40.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117995837A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311449834.6

    申请日:2023-11-02

    Abstract: 一种半导体器件包括:衬底;第一有源图案,其设置在所述衬底上;第二有源图案,其堆叠在所述第一有源图案上;第一栅极结构,其延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交;第二栅极结构,其与所述第一栅极结构间隔开,并且延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交;第一外延图案,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,并且连接到所述第一有源图案;第二外延图案,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,并且连接到所述第二有源图案;绝缘图案,其介于所述第一外延图案与所述第二外延图案之间;和半导体膜,其介于所述绝缘图案与所述第二外延图案之间,所述半导体膜沿着所述绝缘图案的顶表面延伸。

Patent Agency Ranking