公开(公告)号：CN111883534A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010141802.X

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  李载悳

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，包括存储器单元区域和连接区域；多个栅电极，堆叠在基底上；沟道结构，在存储器单元区域中穿透多个栅电极并且包括在垂直于基底的上表面的垂直方向上延伸的沟道层；虚设沟道结构，在连接区域中穿透多个栅电极并且包括在垂直方向上延伸的虚设沟道层；第一半导体层，设置在基底与多个栅电极中的最下面的栅电极之间并且在存储器单元区域中围绕沟道结构；以及绝缘分离结构，设置在基底与多个栅电极中的最下面的栅电极之间并且围绕虚设沟道层。

公开(公告)号：CN111627915A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201911402996.8

申请日：2019-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  李载德

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

Abstract: 一种集成电路器件包括在竖直方向上从衬底延伸的沟道结构、沿所述多个沟道结构设置的存储器单元串、在所述竖直方向上彼此间隔开并包括擦除控制线和串选择线的栅极线、以及包括连接到所述擦除控制线的擦除控制驱动晶体管和连接到所述串选择线的串选择驱动晶体管的驱动晶体管。

公开(公告)号：CN111106124A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910879912.3

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种竖直存储器件包括：衬底上的导线、第一半导体图案和第二半导体图案、第一焊盘和第二焊盘、第一电极和第二电极、第三电极及第一划分图案。导线沿竖直方向堆叠并沿第一方向延伸。第一半导体图案和第二半导体图案沿竖直方向延伸穿过导线。第一焊盘和第二焊盘形成在第一半导体图案和第二半导体图案上。第一电极和第二电极电连接到第一焊盘和第二焊盘。第三电极电连接到导线中的第一导线。第一划分图案沿第二方向延伸，延伸穿过并划分第一导线。在平面视图中，第一半导体图案和第二半导体图案及第一导线设置在第一划分图案的一侧。

公开(公告)号：CN110364533A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910226096.6

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  任峻成 ,  赵恩锡

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种三维半导体装置。三维半导体装置包括位于下结构上的堆叠结构。堆叠结构包括层间绝缘层和栅电极。该装置还包括位于下结构上的沟道结构，并且沟道结构包括位于堆叠结构与下结构之间的水平部分。沟道结构还包括在竖直方向上延伸的多个竖直部分。该装置还包括位于下结构上的支撑图案。另外，该装置还包括具有下部分和上部分的栅极介电结构。

公开(公告)号：CN109148462A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810677598.6

申请日：2018-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹壮根 ,  黄盛珉 ,  任峻成 ,  具教一 ,  赵厚成 ,  金善煐 ,  柳铁 ,  尹在璇

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。

公开(公告)号：CN108538845A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810171709.6

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  尹壮根 ,  任峻成

IPC: H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L23/00

Abstract: 提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括存储单元区域和在存储单元区域的一部分上的绝缘体。该半导体存储器件包括在绝缘体中并且在存储单元区域与半导体存储器件的另一区域之间的应力消除材料。

公开(公告)号：CN108538844A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201711214301.4

申请日：2017-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英宇 ,  任峻成 ,  尹壮根 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置包括具有单元阵列区和外围电路区的基底。单元阵列结构位于单元阵列区中，并包括3D存储器单元阵列。外围逻辑结构位于外围电路区中并包括外围电路晶体管。单元绝缘层使单元阵列结构绝缘。外围绝缘层与外围逻辑结构和单元阵列区绝缘并且具有多孔层。